1. Назначение оксидных слоев в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.
2. Методы получения пленок SiO2 при окислении кремния (сухое, влажное, пирогенное окисление).
3. Сравнительная характеристика технологических параметров окисления кремния и свойств получаемых пленок.
4. Вакуумные и другие методы осаждения пленок SiO2.
5. Выбор метода получения SiO2 для формирования пленок заданного качества и назначения.
6. Использование и получение пленок Si3N4.
