ответ:
объяснение:
положение осей изометрической проекции показано на рис. 85, г. оси х и у располагают под углом 30° к горизонтальной линии (угол 120° между осями). построение осей удобно проводить при угольника с углами 30, 60 и 90°
чтобы построить оси изометрической проекции с циркуля, надо провести ось z, описать из точки о дугу произвольного радиуса; не меняя раствора циркуля, из точки пересечения дуги и оси z сделать засечки на дуге, соединить полученные точки с точкой о.
при построении фронтальной диметрической проекции по осям х и z (и параллельно им) откладывают действительные размеры; по оси у (и параллельно ей) размеры сокращают в 2 раза, отсюда и название "диметрия", что по-гречески означает "двойное измерение".
ответ:
объяснение:
положение осей изометрической проекции показано на рис. 85, г. оси х и у располагают под углом 30° к горизонтальной линии (угол 120° между осями). построение осей удобно проводить при угольника с углами 30, 60 и 90°
чтобы построить оси изометрической проекции с циркуля, надо провести ось z, описать из точки о дугу произвольного радиуса; не меняя раствора циркуля, из точки пересечения дуги и оси z сделать засечки на дуге, соединить полученные точки с точкой о.
при построении фронтальной диметрической проекции по осям х и z (и параллельно им) откладывают действительные размеры; по оси у (и параллельно ей) размеры сокращают в 2 раза, отсюда и название "диметрия", что по-гречески означает "двойное измерение".
Полупроводниковый диод состоит из двух областей полупроводникоаого материала, одна из которых обладает проводимостью р-типа, другая - n-типа. Разные типы проводимости обусловлены разными примесями, которые подмешивают в полупроводниковый материал (например, кремний). На стыке данных областей образуется p-n переход, односторонняя проводимость которого и используется в диодах.
p-n переход заключается в герметичный корпус, а от двух разных областей отводятся контакты к выводам, соответственно катода (n-область), и анода ( р-область).
Также производятся и бескорпусные диоды для микроэлектроники.
Все своими словами. Без плагиата.