вот
Объяснение:
Этапы развития вычислительной техники и программного обеспечения.
Структура вычислительной системы. Ресурсы ВС- физические ресурсы, виртуальные ресурсы. Уровень операционной системы.
Структура вычислительной системы. Ресурсы ВС- физические, виртуальные. Уровень систем программирования.
Структура вычислительной системы. Ресурсы ВС- физические ресурсы, виртуальные ресурсы. Уровень прикладных системы.
. Структура вычислительной системы. Понятие виртуальной машины.. Основы архитектуры компьютера. Основные компоненты и характеристики. Структура и функционирование ЦП.
Основы архитектуры компьютера . Основные компоненты и характеристики. Оперативное запоминающее устройство. Расслоение памяти.
Основы архитектуры компьютера. Основные компоненты и характеристики.
Кэширование ОЗУ.
Основы архитектуры компьютера. Аппарат прерываний. Последовательность действий в вычислительной системе при обработке прерываний.
Основы архитектуры компьютера. Внешние устройства. Организация управления и потоков данных при обмене с внешними устройствами.
Основы архитектуры компьютера. Иерархия памяти.
. Аппаратная поддержка ОС. Мультипрограммный режим.
Аппаратная поддержка ОС и систем программирования.. Организация регистровой памяти ЦП (регистровые окна, стек).
. Аппаратная поддержка ОС. Виртуальная оперативная память.
. Аппаратная поддержка ОС. Пример организации страничной виртуальной памяти.
Многомашинные, многопроцессорные ассоциации. Классификация. Примеры.
Многомашинные, многопроцессорные ассоциации. Терминальные комплексы. Компьютерные сети.
. Операционные системы. Основные компоненты и логические функции. Базовые понятия: ядро, процесс, ресурс, системные вызовы. Структурная организация ОС.
. Операционные системы. Пакетная ОС, ОС разделения времени, ОС реального времени, распределенные и сетевые ОС.
. Организация сетевого взаимодействия. Эталонная модель ISO/OSI. Протокол, интерфейс. Стек протоколов. Логическое взаимодействие сетевых устройств.
. Организация сетевого взаимодействия. Семейство протоколов TCP/IP, соответствие модели ISO/OSI. Взаимодействие между уровнями протоколов семейства TCP/IP. IP адресация.
. Управление процессами. Определение процесса, типы. Жизненный цикл, состояния процесса. Свопинг. Модели жизненного цикла процесса. Контекст процесса.
Реализация процессов в ОС UNIX. Определение процесса. Контекст, тело процесса. Состояния процесса. Аппарат системных вызовов в ОС UNIX.
Реализация процессов в ОС UNIX. Базовые средства управления процессами в ОС UNIX. Загрузка ОС UNIX, формирование нулевого и первого процессов.
. Планирование в ОС. Основные разновидности задач планирования. Стратегии планирования времени ЦП. Алгоритмы, основанные на квантовании. Алгоритмы, основанные на приоритетах. Смешанные алгоритмы планирования.
Планирование. Организация планирования времени ЦП в ОС UNIX и ОС WINDOWS NT. Планирование свопинга в ОС UNIX.
Планирование. Особенности планирования в системах реального времени.
Планирование. Стратегии обработки прерываний. Организация планирования обработки прерываний в ОС WINDOWS NT.
Взаимодействие процессов. Разделяемые ресурсы. Критические секции. Взаимное исключение. Тупики.. Взаимодействие процессов. Некоторые реализации взаимного исключения
Объяснение:
БАН!
В компании друзей есть три мальчика — Марк, Борис и Витя. Маша знает
это, но не знает, кого из мальчиков как зовут. Она может задавать им вопросы,
на которые можно отвечать только «да» и «нет». Каждый вопрос задается
одному из мальчиков, и отвечает на него только он. Маше известно, что Марк
на все вопросы будет отвечать правдиво, Борис Солжет в ответ на первый
заданный ему вопрос, Витя солжет в ответ на первый и второй вопросы, а
дальше и они будут отвечать правдиво. Как ей за три вопроса узнать имена
мальчиков?
При стандартной конц-и (1М) берем справочные данные:
Pb2+ +2ē ⇆ Pb , Е° = –0,126 В
Sn2+ +2ē ⇆ Sn , Е° = –0,136 В
В данном гальваническом элементе катод - Pb , а анод - Sn, т.к. Е°(Pb2+|Pb) > Е° (Sn2+|Sn), но разность потенциалов очень мала, и э.д.с. незначительна:
Е° =Е°к (Pb2+|Pb) – Е°а (Sn2+|Sn) = –0,126 – (–0,136) = 0,01 В
Схема: (А+) Sn(к) | Sn2+ (1М) || Pb2+(1М) | Pb(к) (К–)
При конц-и раствора С≠1М считаем электродный потенциал по уравнению Нернста:
E (Sn2+|Sn) = E°(Sn2+|Sn) + 0,059 lg[Sn2+]/n =
= –0,136 +0,059 lg[0,0001]/2 = –0,254 В
По-прежнему Е(Pb2+|Pb) > Е (Sn2+|Sn), т.е. катод - Pb , а анод - Sn, однако разность потенциалов возрасла, и э.д.с. намного больше:
Е = –0,126 – (–0,254) = 0,118 В
Схема: (А+) Sn(к) | Sn2+ (0,0001М) || Pb2+(1М) | Pb(к) (К–)