при весов и разновесов найдите массу калориметра (1) еите в калориметр при мензурки 200 см т.е. 200 гр. воды (m)=200 r.) 3. поставьте внутренний сосуд с водой во внешний сосуд калориметра. поместите во внутренний сосуд калориметра спираль, сопротивление которой r=2 ом. термометром измерьте температуру воды это будет начальная | температура воды и калориметра. составьте электрическую цель, указанную на рисунке:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Как мы знаем, сила тяжести на любой планете зависит от массы тела и ускорения свободного падения, разного на каждой из них. Иначе говоря, одно и то же тело на разных планетах весит по-разному. Так о чём это я? Сила тяжести, как мы знаем с 7-го класса, равна произведению массы на – то самое ускорение свободного падения. Для того чтобы найти , необходимо силу тяжести поделить на массу тела или, в нашем случае, поделить 1,62H на 1 килограмм, получив ускорение свободного падения на Луне, равное 1,62H/кг.
– то самое ускорение свободного падения. Для того чтобы найти 
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.