N=60 кВт
Объяснение:
Т.к. движение автомобиля на данном участке пути равномерное, то полезная мощность N, Дж/с или Вт
величина постоянная на всем интервале времени t, c, и ее можно вычислить по формуле:
N=A/t, где
A - работа, совершенная автомобилем, Дж
Время определим из следующих условий:
t=s/v, где
s - путь (расстояние) пройденное автомобилем, м
v - скорость автомобиля на данном участке пути, м/с.
Окончателььно:
N=A*v/s;
Переведем величины в систему СИ, и представим их в нормальном виде:
v=54 км/ч=54*1000/3600=54/3,6=15 м/с=1,5*10¹ м/с;
А=600 кДж=600*10³=6*10⁵ Дж.
s=150 м=1,5*10² м
N=6*10⁵*1,5*10¹/(1,5*10²)=6*10⁴ (Дж/с)=60 кВт
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
1) Совершая механическую работу
2) Теплопередача