амлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасывамлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасывамлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасыв
Объяснение:
амлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасывамлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасывмамлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасывамлвст лвтамлтдфв дтмофвлдст сдвЦОСТ ЫОЛТ СЦЛВ СТЬ ЫЬБЫОААОтоавтмолта влс д слы ритодтв фд т илдитлфатм лфват отилофдтмлд лдитлодфм иодидл тлдтвыолдт то дтдл о одт лодтл олтал отам в кмвсы цуаасыв
Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.