Фосфор - элемент главной подгруппы 5 группы, кремний - элемент 4 группы. поэтому фосфор с избыточным электроном (по сравнению с кремнием) явдяется донором и полупроводник становится n - типа. концентрация свободных носителей . в примесном полупроводнике концентрация примесных электронов намного больше собственной концентрации свободных носителей заряда. поэтому концентрация носителей заряда примерно равна концентрации молекул примеси n = ro/Mr*Na * 0,00001/100 = 2400/(0,028)*6e23*0,00001/100 м^(-3)= 5,14E+021 м^(-3)
При увеличении температуры полупроводника его собственная проводимость (т. е. та, которая есть независимо от примесей) возрастает, сопротивление, соответственно, падает. Это обусловлено тем, что с ростом температуры всё больше электронов имеет достаточно энергии чтобы оторваться от атомов. При этом образуется пара из свободного электрона и "дырки" - вакантного места под электрон у атома. Атом, у которого не хватает электрона, может отобрать электрон у соседа, таким образом "дыра" переместится. В результате "дырки" ведут себя подобно свободным частицам с положительным зарядом и участвуют в проводимости наравне с электронами.
n = ro/Mr*Na * 0,00001/100 = 2400/(0,028)*6e23*0,00001/100 м^(-3)= 5,14E+021 м^(-3)