Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников и границы раздела между ними. Если говорить совсем упрощенно, в одном типе (n - типе) полупроводника избыток электронов, в другом типе (p - типе) - недостаток электронов. Граница раздела как бы запирает полупроводники и не дает электроном из области, где их избыток перетекать в область где их недостаток. Если к полупроводнику приложить напряжение, то созданное им электрическое поле преодолеть электронам запирающий их на границе раздела барьер и ток потечет в одну сторону. Если перевернуть полупроводник (изменить полярность подключения), то электрическое поле наоборот усилит внутренний запирающий барьер и ток через полупроводник не потечет.
1)1) на тело действуют две вертикально направленные силы — 10 н и 15 н. изобразите эти силы. сколько вариантов рисунка вы можете сделать? 2)2) какой объем воды находится в сосуде, если на нее действует сила тяжести 150 н? 3)3) одна из двух сил, действующих на тело вдоль одной прямой, равна 5 н. равнодействующая этих сил равна 8 н. какой может быть по модулю другая сила? 4)4) на тело действуют три силы, направленные вдоль одной прямой: 3 н, 12 н и 6 н соответственно. каким может быть модуль равнодействующей r этих сил? 5)5) два человека тянут груз, прикладывая горизонтальные силы f1=100 н и f2=150 н, направленные вдоль одной прямой. каким может быть модуль равнодействующей r этих сил? 6)6)вычисли, какая сила притяжения действует на школьника, масса которого равна 72 кг. (принять, что g ≈10м/с2) 7)7) задай вопрос из школьного предмета ne7spisivat 5-9 5+3 б а) в сосуде с водой находятся два бруска одинаковой массы — деревянный и стальной. на какой из брусков действует большая сила тяжести? 8)8) какого объема алюминиевый брусок надо взять, чтобы вес бруска, лежащего на земле, был равен 270 н? плотность алюминия 2700 кг/м3.
Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников и границы раздела между ними. Если говорить совсем упрощенно, в одном типе (n - типе) полупроводника избыток электронов, в другом типе (p - типе) - недостаток электронов. Граница раздела как бы запирает полупроводники и не дает электроном из области, где их избыток перетекать в область где их недостаток. Если к полупроводнику приложить напряжение, то созданное им электрическое поле преодолеть электронам запирающий их на границе раздела барьер и ток потечет в одну сторону. Если перевернуть полупроводник (изменить полярность подключения), то электрическое поле наоборот усилит внутренний запирающий барьер и ток через полупроводник не потечет.
Объяснение: