Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Ав = 3,56 *10-19 Дж, λкр = 556 *10-9 м.
Объяснение:
Дано:
λ = 317 нм = 317 *10-9 м.
h = 6,6 *10-34 Дж*с.
Ек = 2,64 *10-19 Дж.
C = 3 *108 м/с.
Ав - ?
λкр - ?
Еф = Ав + Ек - закон фотоэффекта.
Ав = Еф - Ек.
Энергию фотонов Еф выразим формулой: Еф = h * С / λ,
где h - постоянна Планка, С - скорость света, λ - длина волны фотонов.
Ав = h * С / λ - Ек.
Ав = 6,6 *10-34 Дж*с * 3 *108 м/с / 317 *10-9 м - 2,64 *10-19 Дж = 3,56 *10-19 Дж.
Ав = h * С / λкр,
где λкр - красная граница фотоэффекта.
λкр = h * С / Ав = 6,6 *10-34 Дж*с*3 *108 м/с / 3,56 *10-19 Дж = 556 *10-9 м.
ответ: 500 Н
Объяснение:
Выталкивающая сила - сила Архимеда. Fарх=(ро)*V*g,
где ро - плотность жидкости ( в нашем случае - воды ), V - объем подгруженного тела в жидкость, g - ускорение свободного падения
V=0,05 м^3
g=10 м\с^2
ро=1000 кг\м^3
Fарх=(ро)*V*g=1000*0,05*10=500 Н