М
Молодежь
К
Компьютеры-и-электроника
Д
Дом-и-сад
С
Стиль-и-уход-за-собой
П
Праздники-и-традиции
Т
Транспорт
П
Путешествия
С
Семейная-жизнь
Ф
Философия-и-религия
Б
Без категории
М
Мир-работы
Х
Хобби-и-рукоделие
И
Искусство-и-развлечения
В
Взаимоотношения
З
Здоровье
К
Кулинария-и-гостеприимство
Ф
Финансы-и-бизнес
П
Питомцы-и-животные
О
Образование
О
Образование-и-коммуникации
пОмО0гите
пОмО0гите
16.06.2021 06:03 •  Физика

Рассчитайте емкость плоского конденсатора. Площадь плоской пластины конденсатора составляет 401 см2. Диэлектрическая проницаемость среды составляет 2,1 (слюда). Расстояние между пластинами (толщина диэлектрика) составляет 1 мм

👇
Ответ:
Olgotata
Olgotata
16.06.2021

7,452585 \cdot 10^{-10} F

Объяснение:

C=\varepsilon _{0} \cdot \varepsilon \cdot \frac{S}{d};

S=401cm^{2}=\frac{401}{10000}m^{2};

d=1mm=\frac{1}{10}cm=\frac{1}{1000}m;

\varepsilon=2,1, \quad \varepsilon _{0}=8,85 \cdot 10^{-12} \frac{F}{m};

\frac{S}{d}=\frac{401}{10000}m^{2}:\frac{1}{1000}m=\frac{401m^{2} \cdot 1000}{10000m}=\frac{401}{10}m=40,1m;

C=8,85 \cdot 10^{-12} \frac{F}{m} \cdot 2,1 \cdot 40,1m=745,2585 \cdot 10^{-12} F=7,452585 \cdot 10^{-10} F;

F — обозначение единицы измерения электрической ёмкости (Фарад).

4,4(35 оценок)
Открыть все ответы
Ответ:
На  поверхность стеклянной пластины нанесена тонкая плёнка толщиной d=180 нм. на пленку нормально падает свет с длиной волны λο=504 нм.  при каком значении показателя преломления n- ? пленки будет наблюдаться максимальное отражение света?   максимальное отражение будет если   свет отраженный от поверхности пленки и от поверхности на которую нанесли пленку будет усиливатьсяδd=  λ*k   -   условие усиления волн   λ=λο/n   - длина волны в пленке δd=2*d - разность хода волн 2*d=λο*k/n n=λο*k/2*d=504*k/360     k=1     n< 2,4   n> 1 n=1,4 ответ n=1,4
4,8(33 оценок)
Ответ:
FullDown
FullDown
16.06.2021

Объяснение:

При обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. Направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. Поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. Диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. Полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. Этот ток называется обратным. Т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. P-N-переход при обратном напряжении Uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. Запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +Qобр и –Qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб, уменьшается. Характер этой зависимости показывает график на рисунке. Как видно, под влиянием напряжения Uобр емкость Сб изменяется в несколько раз. Зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. При достижении обратным напряжением критического значения Uпр обратный ток резко возрастает. Этот режим называется пробоем p-n–перехода. С практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может привести к разрушению кристалла и является аварийным режимом. Электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. Тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. Одним из важных параметров полупроводниковых приборов с электронно-дырочными переходами является допустимое обратное напряжение Uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.

4,4(81 оценок)
Это интересно:
Новые ответы от MOGZ: Физика
logo
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси Mozg
Открыть лучший ответ