ДАНО
λm = 300 нм = 300*10^-9 м = 3*10^-7 м
Авых -?
РЕШЕНИЕ
основная формула - по Эйнштейну для фотоэффекта
hv = Aвых + Ек (1)
h=6.626*10^-34 Дж/с - постоянная Планка
v -частота падающего фотона
v=c/ λm
c=3*10^8 м/с - скорость света
При фотоэффекте часть падающего электромагнитного излучения от поверхности металла
отражается, а часть проникает внутрь поверхностного слоя металла и там поглощается.
Наибольшая длина волны - это указание на то, что фотон света выбьет электрон
с поверхности цинка (совершит работу выхода), но у электрона не будет
больше энергии , чтобы двигаться дальше Ек =0, т.е. нужна более мощная волна.
перепишем формулу (1) с учетом пояснений
hc/ λm = Aвых + 0
Aвых = hc/ λm =6.626*10^-34 *3*10^8 / 3*10^-7 = 6.626*10^-19 Дж = 4.14 эВ
ОТВЕТ 6.626*10^-19 Дж = 4.14 эВ
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.