Резисторы R₆ и R₇ соединены параллельно:
R₆₇ = R₆R₇/(R₆+R₇) = 100 · 50 : 150 = 33 1/3 (Ом)
Резистор R₅ с группой R₆₇ соединен последовательно:
R₅₆₇ = R₅ + R₆₇ = 160 + 33 1/3 = 193 1/3 (Ом)
Резисторы R₃ и R₄ соединены последовательно:
R₃₄ = R₃ + R₄ = 100 + 160 = 260 (Ом)
Группа R₃₄ с группой R₅₆₇ соединена параллельно:
R₃₄₅₆₇ = R₃₄R₅₆₇/(R₃₄+R₅₆₇) = 260 · 193 1/3 : 453 1/3 ≈ 111 (Ом)
Резистор R₂ с группой R₃₄₅₆₇ соединен последовательно:
R₂₃₄₅₆₇ = R₂ + R₃₄₅₆₇ = 90 + 111 = 201 (Ом)
Резистор R₁ с группой R₂₃₄₅₆₇ соединен параллельно:
R = R₁R₂₃₄₅₆₇/(R₁+R₂₃₄₅₆₇) = 30 · 201 : 231 ≈ 26,1 (Ом)
Резисторы R₆ и R₇ соединены параллельно:
R₆₇ = R₆R₇/(R₆+R₇) = 100 · 50 : 150 = 33 1/3 (Ом)
Резистор R₅ с группой R₆₇ соединен последовательно:
R₅₆₇ = R₅ + R₆₇ = 160 + 33 1/3 = 193 1/3 (Ом)
Резисторы R₃ и R₄ соединены последовательно:
R₃₄ = R₃ + R₄ = 100 + 160 = 260 (Ом)
Группа R₃₄ с группой R₅₆₇ соединена параллельно:
R₃₄₅₆₇ = R₃₄R₅₆₇/(R₃₄+R₅₆₇) = 260 · 193 1/3 : 453 1/3 ≈ 111 (Ом)
Резистор R₂ с группой R₃₄₅₆₇ соединен последовательно:
R₂₃₄₅₆₇ = R₂ + R₃₄₅₆₇ = 90 + 111 = 201 (Ом)
Резистор R₁ с группой R₂₃₄₅₆₇ соединен параллельно:
R = R₁R₂₃₄₅₆₇/(R₁+R₂₃₄₅₆₇) = 30 · 201 : 231 ≈ 26,1 (Ом)
3-ое положение тела оказывает наибольшее давление на поверхность, так как чем меньше поверхность, на которую производится давление, тем возникает большая сила. По этому же принципу находим, что 1-е положение тела оказывает наименьшее давление на поверхность, так как площадь данной поверхности наибольшая.