Rэ=6.85 Ом, I=I1=3.82A, I2=I3=1.088A, I4=2.72A, U1=15.28В, U2=2.176В, U3=8.704В, U4=U2.3=10.88В
Объяснение:
Находим Rэ: R2.3=R2+R3=10 Om, паралельное соединение R2.3 и R4 даст
R2.3.4=R2.3*R4/R2.3+R4=40/14=2.85 Om,
Rэ=R1+R2.3.4=4+2.85=6.85 Om,
P=U*I, 100Вт=U²/Rэ найдём напряжение , U=√P*Rэ =√100*6.85= 26.17В.
тогда I=U/Rэ=26.17/6.85=3.82А,
напряжение на R1: U1=I*R1=3.82*4=15.28В, U2=I2.3*R2=1.088*2=2.176В,
U2.3=U4=I*R2.3.4=3.82*2.85 Om=10.88В, U3=U2.3-U2=8.704В,
ток через R2.3 : I2.3=U2.3/R2.3=10.88/10=1.088A,
ток через R4 : I4=U2.3/R4=10.88/4=2.72В,
Проверка: Р=U*I=26.17* 3.82A=100Вт
Объяснение:
2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как 
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
https://ohranatrud-ua.ru/instruktsii-po-okhrane-truda/61-instruktsiya-po-okhrane-truda-pri-rabote-na-stende.html
6) К основным параметрам полупроводниковых диодов относятся:
предельно допустимый прямой (выпрямительный) ток, прямое падение напряжения, пороговое прямое напряжение, обратный ток, обратное напряжение, напряжение пробоя диода, ёмкость p-n-перехода.
v=(Aвых+(mu^2/2))/h=(9,03*10^-19)/(6,63*10^34)=14*10^14 Гц