Объяснение:
2) Обратный ток p-n перехода прямо пропорционален ширине запретной зоны и зависит от температуры как 
5)
Вероятно, это какой то специфичный вопрос. Обычно правила ТБ описаны рядом с установкой или в методичке к работе. В общем случае могу предложить Вам прочитать их здесь.
https://ohranatrud-ua.ru/instruktsii-po-okhrane-truda/61-instruktsiya-po-okhrane-truda-pri-rabote-na-stende.html
6) К основным параметрам полупроводниковых диодов относятся:
предельно допустимый прямой (выпрямительный) ток, прямое падение напряжения, пороговое прямое напряжение, обратный ток, обратное напряжение, напряжение пробоя диода, ёмкость p-n-перехода.
C = e0S/d = 8.85*10⁻¹²*10⁻³/2*10⁻³ = 4.43*10⁻¹² Ф
В секунду появляется
N = 10⁻⁸ пар одновалентных ионов
За 5 секунд между обкладками появится
Nt = 5*10⁸ пар свободных зарядов
Попадая на пластины, эти свободные заряды уменьшают заряд конденсатора Q на величину
dQ = N*t*e
где
e = 1.6*10⁻¹⁹ Кл
dQ = 10⁸*5*1.6*10⁻¹⁹ = 8*10⁻¹¹ Кл
Уменьшение напряжения составит
dU = dQ/C = 8*10⁻¹¹/4.43*10⁻¹² = 18 В