100 Ом
Объяснение:
Дано:
R1 = 60 Ом ; R2 = 120 Ом ; R3 = 50 Ом ; R4 = 40 Ом ; R5 = 20 Ом ; R6 = 40 Ом
Найти: Rобщ - ?
R1 и R2 соединены параллельно, тогда R1,2 = R1*R2/(R1+R2)
R1,2 = 60 Ом * 120 Ом / (60 Ом + 120 Ом) = 7200 /180 = 40 Ом
R4,R5 и R6 соединены параллельно, тогда 1/R4,5,6 = 1/R4 + 1/R5 + 1/R6
1/R4,5,6 = 1/40 + 1/20 + 1/40 = 1/40 + 2/40 + 1/40 = 4/40
1/R4,5,6 = 4/40 => R4,5,6 = 40*1/4 = 10(Ом)
R1,2 , R3 и R4,5,6 соединены последовательно.
Rобщ = R1,2 + R3 + R4,5,6 = 40 Ом + 50 Ом + 10 Ом = 100 Ом
ответ: 100 Ом
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
Решение: W=LI²/2
W= 10⁻⁴Гн *(10A)²/2=0,005 Дж