А1. В каком состоянии вещество занимает весь предоставленный объем и не имеет собственной формы?
Б. Только в газообразном.
А.2. В каких телах происходит диффузия?
Г. В газах, жидкостях и твердых телах.
А.3. За какое время пешеход проходит расстояние 3,6 км, двигаясь со скоростью 2 м/с?
t=s/v = (3,6*1000 м)/(2м/с) = 1800 с = 1800/60 мин = 30 мин
А. 30 мин.
A.4. Две одинаковые бочки наполнены горючим: одна – керосином, другая – бензином. Масса какого горючего больше и во сколько раз?
Плотность керосина р= 800 кг на метр в кубе
Плотность бензина р = 710 кг на метр в кубе.
Так как объем ы одинаковые, то масса керосина в 800/710 = 1,127 = 1,13 раза больше.
A. Керосина приблизительно в 1,13 раза.
А5. Какая лодка – массой 150 кг или 300 кг – при прыжке с нее человека двигается назад с большей скоростью?
Если массы прыгающих равны, то лодка с меньшей массой будет иметь большую в 2 раза скорость, что бы ее количество движения было равно количеству движения прыгающего.
А. Первая со скоростью в 2 раза большей.
А.6. Какую массу имеет тело весом 120 Н?
m=P/g = (120 Н)/(10 м/сек^2) = 12 кг
Б. 12 кг.
А.7. На книгу, лежащую на столе со стороны стола, действует…
Б. Сила упругости.
А.8. Определите минимальное давление насоса водонапорной башни, который подает воду на высоту 6 м.
P = pgh = 1000 кг/м^3 * 10 м/сек^2*6м = 60000 Па = 60 кПа
В. 60 кПа.
А.9. Человек находится в воде. Как изменится сила Архимеда, действую¬щая на человека при вдохе?
Увеличится объем грудной клетки, следовательно увеличится объем человека, значит увеличится и выталкивающая сила, так как на погруженное в жидкость (или газ) тело действует выталкивающая сила, равная весу жидкости в объеме тела.
Б. Увеличится
А.10. Рассчитайте давление на платформе станции метро, находящейся на глубине 36 м, если на поверхности атмосферное давление равно 101,3 кПа.
Однозначно увеличится, так как на платформе действует атмосферное давление и давление столба воздуха в 36 метров. На каждые 12 метров глубины давление растет на 1 мм.рт.ст., поэтому
А. 763 мм рт. ст.
А.11. Какой кинетической энергией будет обладать пуля массой 9г, выпущенная из ружья со скоростью 600 м/с?
Е=mv^2/2 = 0,009 кг*600^2/2 = 1620 Дж
Б. 1620
А.12. Неподвижный блок…
Меняет направление силы не дает выигрыша в силе.
Б. Не дает выигрыша в силе.
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.
Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.
Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесными центрами могут быть:
атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).
Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.
Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.
В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.
Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.
Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.
Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.
Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.
Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.
Объяснение:
p - давление ( 28 кПа = 28000 Па )
g - ускорение свободного падения ( 10 Н / кг )
h - глубина ( 4 м )
po =