Объяснение:
Дырочные полупроводники. Полупроводник, легированный акцепторной примесью, называют полупроводником дырочного типа (р-типа) проводимости или дырочным полупроводником.Дырочная проводимость создается в результате легирования полупроводника элементами, имеющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из которых состоит полупроводник. Например, для Si и Ge, являющимися элементами четвертой группы таблицы Менделеева, в качестве акцепторных примесей применяют элементы третьей группы, как правило это 5B, 13Al, 31Ga, 49In.Замещая узлы кристаллической решетки полупроводника, атомы акцепторной примеси захватывают валентный электрон от соседнего атома кремния для создания ковалентных связей с атомами основного вещества, превращаясь при этом в отрицательно заряженные ионы, и участвуют в создании дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника, как показано на рис. 1.26.Механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис. 1.26, а. При образовании химической ковалентной связи с атомами Si или Ge все три валентных электрона атома акцепторной примеси участвуют в образовании ковалентных связей. Для создания четвертой (незавершенной) химической связи может быть захвачен электрон из ковалентных связей одного из ближайших соседних атомов кремния. У этого атома, в свою очередь, появляется незавершенная связь с соседним атомом кремния, которая называется дыркой.У дырки существует слабая электростатическая связь с атомом кремния. Энергия этой кулоновской связи DWa, как и в случае электронных полупроводников, невелика и составляет всего 0,01...0,07 эВ. Поэтому для захвата дыркой электрона из ковалентной связи соседнего атома достаточно небольшой энергии, которую электрон может получить за счет тепловых колебаний кристаллической решетки. В результате обмена электронами между соседними атомами дырка может перемещаться по кристаллу полупроводника, осуществляя при приложении внешнего электрического поля дырочную проводимость.
R(шунта) = 0,004Ом
Объяснение:
1/R(общ) = 1/R1 + 1/R2
R1 = 0.016Ом
Чтобы увеличить показаний амперметра нужно уменьшить его внутреннее сопротивления в 5 раз
R(общ) = 0.016Ом/5=0.0032Ом
Домножим на 1000, чтобы не парится с нулями и создаем уравнения;
(16 * х) / (16 + х) = 3.2
16х = 3.2 * (16 + х)
16х = 3.2х + 51.2
16х - 3.2х = 51.2
12.8х = 51.2
х = 51.2 / 12.8 = 4 - теперь поделим это назад на 1000
Получаем сопротивления шунта в 0,004Ом
Проверим теперь, верна ли теория;
1/R(общ) = 1/R1 + 1/R2
Мы знаем, что общее сопротивления двох шунтов должно быть 0.0032Ом
1/x = 1/0.016Ом + 1/0.004Ом = 0.0032Ом
Как видим теория верна...
1) R=U/I
2) I=e/R+r, где r- импеданс двухполюсника - внутренне сопротивление
Воспользуемся 1) уравнением для решения задачи так, как постоянный ток, участок цепи:
R=220/2=110 Ом
R=pl/s, где l=Rs/p
Так как диаметр равен 0,5 мм, то R= 0,25 мм=> S=πR^2=>
3,14159*0,25^2=0,196349375 мм^2
Тогда l= 110*0,196349375/0,4≈53,996078125 м