Тип носителя зарядов изменяется путем добавок атомов с мЕньшим или бОльшим числом валентных электронов (электронов во внешнем слое) по сравнению с атомами основного полупроводника. Например в кремний (4 валентных электрона) можно ввести мышьяк или фосфор (5 валентных электронов) Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)
Сообщающиеся сосуды применяются в разных устройствах: водопроводах с водонапорной башней;артезианских колодцах; водомерных стеклах; гидравлическом прессе; фонтанах; шлюзах; сифонах под раковиной на кухне, “водяных затворах” в системе канализации. Водонапорная башня и стояки водопровода являются сообщающимися сосудами, поэтому жидкость в них устанавливается на одном уровне. В водомерном стекле парового котла, паровой котел и водомерное стекло являются сообщающимися сосудами. Когда краны открыты, жидкость в паровом котле и водомерном стекле устанавливается на одном уровне, так как давления в них равны. Большой и малый цилиндры гидравлического пресса являются сообщающимися сосудами. Высоты столбов жидкости одинаковы, пока на поршни не действуют силы. В работе шлюзов : жидкость в сообщающихся сосудах находится на одном уровне. Когда ворота открываются, вода в верхнем течении и шлюзе устанавливается на одном уровне и т.д., когда последние ворота откроются, уровень воды в шлюзе и нижнем течении сравняется, корабль будет опускаться вместе с водой и сможет продолжить плавание.
По правилу правого винта определяем направления напряженностей, созданных горизонтальными и вертикальными участками проводника. напряженности нв и нг будут направлены на нас. результирующая напряженность находится по принципу суперпозиции полей поле проводника конечной длины для горизонтального участка тока для вертикального участка тока тогда результирующее поле расстояние r0 ответ:
Атомы примеси вступают в ковалентную связь с атомами кремния (другими словами, заменяют атом кремния в кристаллической решетке). Однако пятый электрон атома мышьяка или фосфора оказывается "лишним", и он становится свободным. В данном случае носителем заряда является отрицательно заряженный электрон. Получаем электронный полупроводник, или полупроводник n-типа (от negative - отрицательный). Если в кремний добавить трехвалентные бор, индий или галлий, то примесные атомы так же внедрятся в кристаллическую решетку и образуют связи с атомами кремния. Недостающий четвертый электрон эти примесные атомы захватят у соседних атомов кремния, вследствие чего образуется положительно заряженная "дырка". Она и будет носителем заряда. Получаем дырочный полупроводник или p-полупроводник (от positive - положительный)