Добрый день, давайте по порядку разберем каждый вопрос и найдем правильные ответы.
1. Вопрос: Разрешённая зона – это совокупность близких друг к другу энергетических уровней, «расстояние» между которыми:
1) много больше значений энергии уровней;
2) примерно равно энергии уровней;
3) много меньше значений энергии уровней;
4) варьируется в широком диапазоне в зависимости от температуры.
Ответ: Правильный ответ - 2) примерно равно энергии уровней.
Обоснование: Разрешенная зона энергетических уровней в твердом теле представляет собой диапазон энергий, в котором возможно нахождение электрона. Энергия уровней внутри разрешенной зоны примерно равна друг другу. Это объясняет возможность прохождения электронами через разрешенную зону и формирования электрического тока.
2. Вопрос: Укажите номер правильного утверждения: в формуле для функции распределения Ферми-Дирака, определяющей вероятность заполнения энергетических уровней электронами в металле (k В – постоянная Больцмана), буквой 'а' обозначена:
1) энергия Ферми.
2) произвольное значение кинетической энергии электрона в металле.
3) потенциальная энергия электронов в металле.
4) температура.
Ответ: Правильный ответ - 1) энергия Ферми.
Обоснование: Функция распределения Ферми-Дирака описывает вероятность нахождения электрона на определенном энергетическом уровне в металле при заданной температуре. Буква 'а' в формуле обозначает энергию Ферми, которая является характеристикой структуры энергетических уровней металла.
3. Вопрос: Согласно закону Дюлонга-Пти молярная теплоёмкость атомных кристаллов:
1) пропорциональна T.
2) пропорциональна T^3.
3) пропорциональна T^(1/2).
4) среди приведённых правильного ответа нет.
Ответ: Правильный ответ - 4) среди приведенных правильного ответа нет.
Обоснование: Закон Дюлонга-Пти описывает зависимость молярной теплоемкости атомных кристаллов от температуры. По закону Дюлонга-Пти, молярная теплоемкость атомных кристаллов не пропорциональна ни T, ни T^3, ни T^(1/2), так как зависимость молярной теплоемкости от температуры может быть более сложной и может варьироваться в зависимости от конкретного материала.
4. Вопрос: Вольт-амперная характеристика металлического резистора приведена на рисунке под номером:
1) 1.
2) 2.
3) 3.
4) 4.
Ответ: Правильный ответ - Нужно уточнить номер рисунка, чтобы дать точный ответ.
Обоснование: Для ответа на этот вопрос необходимо видеть рисунок с вольт-амперной характеристикой металлического резистора. Номер рисунка не предоставлен в вопросе, поэтому невозможно дать правильный ответ без рисунка.
5. Вопрос: Укажите правильные утверждения.
А. Удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры.
В. При внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости.
С. Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике увеличиваются с ростом температуры.
D. Зона проводимости полупроводника при Т = 0 К заполнена электронами.
Ответ: Правильный ответ - 3) А,С,D.
Обоснование:
А. Удельная электропроводность полупроводника действительно возрастает при увеличении температуры. Высокая температура приводит к тому, что больше электронов приобретают достаточно энергии для передвижения и вкладывания в электрический ток.
В. При внутреннем фотоэффекте электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости полупроводника. Это происходит при взаимодействии фотонов с полупроводником.
С. Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике действительно увеличиваются с ростом температуры. Высокая температура приводит к возбуждению электронов из валентной зоны в зону проводимости, создавая дополнительные свободные носители заряда.
D. При Т = 0 K зона проводимости полупроводника полностью заполнена электронами. Это связано с конечной ширины запрещенной зоны полупроводника и энергетической структурой электронных уровней.
Вот ответы на все вопросы. Если у вас остались какие-либо вопросы или требуется дополнительное объяснение, пожалуйста, сообщите.
Добрый день! Я с удовольствием помогу вам разобраться с этим вопросом.
Для определения коэффициента поверхностного натяжения (σ) вещества по имеющимся данным, мы можем воспользоваться следующей формулой:
ΔW = σ * ΔS,
где ΔW - работа, совершаемая при изменении площади поверхности, ΔS - изменение площади поверхности, а σ - коэффициент поверхностного натяжения.
В нашем случае, у нас известны значения работа (ΔW = 10 мдж) и изменение площади поверхности (ΔS = 5 мм^2), и мы хотим найти коэффициент поверхностного натяжения (σ).
Подставляя известные значения в формулу, получаем:
10 мдж = σ * 5 мм^2.
Для удобства расчетов, сначала приведем единицы измерения работа в жулях (1 мдж = 1000 ж), и получим:
10 мдж = 10 000 000 ж.
Теперь, поделим обе части уравнения на 5 мм^2, чтобы изолировать коэффициент поверхностного натяжения:
10 000 000 ж / 5 мм^2 = σ.
Делая вычисления, получаем:
2 000 000 ж / мм^2 = σ.
Таким образом, коэффициент поверхностного натяжения данного вещества составляет 2 000 000 ж/мм^2 (джоулей на квадратный миллиметр).
Надеюсь, что мой ответ был понятен и полезен для вас! Если у вас возникнут еще вопросы, не стесняйтесь задавать.
2 кг
Объяснение:
Дано:
k = 500 Н/м
Δx = 4 см = 0,04 м
m - ?
1)
По закону Гука находим силу:
F = k*Δx = 500*0,04 = 20 Н
2)
Но F = m*g
тогда
m = F / g = 20 / 10 = 2 кг