1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.
2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.
3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.
4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.
2) давление вначале P0 = n0 k T0 = (N0 k T0) / V
давление после нагревания P = n k T = (N k T) / V
так как все молекулы кислорода распались на атомы, то суммарное количество частиц, составляющих газ, увеличилось вдвое: N = 2 N0
выражая N0 из первого уравнения и подставляя в P, получаем:
P = (2 P0 T) / T0.
P = (2*120*1000)/200 = 1.2 кПа