1) Г
2) Б
3) Г
4) А
5) Б
6) через 1с
7) Скоріше за все це варіант "В", схоже на β− розпад
8) 2 000 000 000 ядер
Объяснение:
6) Першим чином треба знайти максимальну висоту підняття тіла:
h(max) = V² - V0²/ -2g = 0 - 30²/ - 20 = 45метрів
h = V0t - gt²/2
Тепер треба вирішити квадратне рівняння підставивши значення з умови, "сложно, но возможно"
25 = 30*t - 5t²
5 = 6*t - t²
D = 36 - 4*5 = 16
√D = 4
t1 = 6+4/2 = 5с
t2 = 6-4/2 = 1с
На висоті 25м тіло при підйомі опиниться через 1с, а при падінні через 5с, але це не важливо
8) Годину можна розбити на три етапи піврозпаду, думаю зрозуміло чому на 3 етапи;
щоб не запутатися переведу к-сть ядер ізотопу в ціле число, тобто 16 000 000 000 ядер ізотопу в нас є, через 20хв уже залишиться в 2 рази меньше, тобто 8 000 000 000 ядер, через ще 20хв уже буде 4 000 000 000 ядер, ще через 20хв залишиться 2 000 000 000 ядер ізотопу Bi.
Отже, через годину із 16 000 000 000 ядер в нас залишиться всьо 2 000 000 000, або 2*10 в 9 степені ядер
Транзисторы—механически прочные приборы. Но они не выдерживают чрезмерно большие токи в проводящем направлении.
Если случайно между базой и эмиттером окажется напряжение со знаком минус на базе, то создающийся при этом большой ток через эмиттерный переход может испортить транзистор.
Транзисторы боятся перегрева во время пайки и недопустимо больших прямых токов через эмиттерный и коллекторный переходы. При пайке выводов транзисторов их надо плотно обжимать плоскогубцами или пинцетом выше места пайки, чтобы плоскогубцы поглощали тепло.
Если транзистор отдает допустимую для него мощность, но при этом нагревается, его корпус надо ставить на радиатор для отвода тепла. Это особенно важно для мощных выходных каскадов усилителей низкой частоты.
Не следует производить впайку транзистора в конструкцию при включенном питании. Первое включение источника питания транзисторного усилителя или приемника нужно производить через миллиамперметр. Если прибор покажет потребляемый ток в несколько раз больший, чем рекомендовано в описании или обозначено в схеме, значит в конструкции есть короткое замыкание. Устранив неисправность и включив питание, в течение двух-трех минут проверьте, не нагреваются ли транзисторы.
В связи с значительным разбросом параметров транзисторов одного и того же типа, что объясняется сложностью технологии изготовления их, во время налаживания возникает необходимость установки коллекторных токов изменением смещения на базах транзисторов. Вместо постоянного резистора в цепь базы полезно вмонтировать временно переменный резистор и им подгонять нужный ток в цепи коллектора. Но последовательно с ним необходимо включить постоянный резистор на 5—10 ком, ограничивающий ток базы. После подбора нужного тока в цепи коллектора эти резисторы заменяют постоянным резистором такого же номинала.
Параллельно батареи питания транзисторной конструкции полезно подключать электролитический конденсатор, устраняющий вредную обратную связь между каскадами через внутреннее сопротивление батареи, которое возрастает по мере ее разряда.
Монтаж транзисторной конструкции можно произвести печатным методом, используя для этого газовый фольгированный гети-накс или наклеивая на листовой гетинакс или текстолит клеем БФ-2 медную фольгу толщиной 0,1—0,3 мм. На фольге нитрокраской рисуют все необходимые соединения, а после высыхания краски панель погружают в 30-процеитиый раствор хлорного железа, который стравливает участки фольги, не защищенные краской. Далее панель промывают в проточной воде и сушат. В тех местах, где будут устанавливаться транзисторы и детали, просверливают отверстия соответствующих диаметров и аккуратно ацетоном удаляют нитрокраску.
Объяснение:
V-?
V=m₂ × V⁰ / m₁+m₂
V=6*10⁴ × 1 / 4*10⁴ + 6*10⁴ = 0.6 м/c
ответ: 0.6 м/с