М
Молодежь
К
Компьютеры-и-электроника
Д
Дом-и-сад
С
Стиль-и-уход-за-собой
П
Праздники-и-традиции
Т
Транспорт
П
Путешествия
С
Семейная-жизнь
Ф
Философия-и-религия
Б
Без категории
М
Мир-работы
Х
Хобби-и-рукоделие
И
Искусство-и-развлечения
В
Взаимоотношения
З
Здоровье
К
Кулинария-и-гостеприимство
Ф
Финансы-и-бизнес
П
Питомцы-и-животные
О
Образование
О
Образование-и-коммуникации
durindub007
durindub007
26.05.2022 22:56 •  Физика

Расстояние между предметами и его действительным изображением, увеличенным вдвое, равно 2 м. определите оптическую силу линзы

👇
Ответ:
Liphan
Liphan
26.05.2022
Моё решение было неверным, я ошибся. Правильное решение есть в комментариях к задаче от Larisaorlova65  
Его смысл (вкратце):
D = 1/f + 1/d/ ; f = 2d; f+d=2 ⇒3d=2⇒d=2/3;f=4/3
1/f =3/4 =0,75
1/d =3/2=1,5

D=1,5+0,75 = 2,25 диоптрий.
4,6(85 оценок)
Ответ:
daniil8092228
daniil8092228
26.05.2022
Дано: f/d=2,  f+d=2 м
НАЙТИ: D
РЕШЕНИЕ.
По формуле тонкой линзы 1/F =1/d +1/f,
 Из условий  f+d=2  и f/d=2 находим f=2d и d=2/3 м
D = 1/d + 1/2d , D =3/2d, D= 3/( 2*2/3)=9/4 =2,25 дптр

ответ:  2,25 дптр
4,8(6 оценок)
Открыть все ответы
Ответ:
аліна55
аліна55
26.05.2022

В первую очередь необходимо отметить, что экспериментальная задача – это физический эксперимент, и отличается он от обычных лабораторных работ только тем, что здесь ученику не даётся готового алгоритма решения. Идею, порядок решения, а также методику проведения эксперимента надо найти и продумать самостоятельно. Нельзя торопить учащихся и подсказками, нужно дать возможность самостоятельно подумать над проблемой, и не один урок, а может быть, даже не одну неделю. Конечно, можно консультироваться с учителем и обсуждать проблему с одноклассниками.

4,5(47 оценок)
Ответ:
FullDown
FullDown
26.05.2022

Объяснение:

При обратном включении к р-области подсоединен “-” источника, а к n-области – “+” источника. Направление поля, которое создается источником внешнего напряжения, совпадает с направлением поля p-n–перехода. Поля складываются и потенциальный барьер между p- и n- областями увеличивается. Диффузионный ток уменьшается и увеличивается дрейфовый ток. Полный ток p-n–перехода определяется только дрейфовым током, т.е. током неосновных носителей заряда. Этот ток называется обратным. Т.о. p-n–переход, включенный в прямом направлении пропускает электрический ток, а включенный в обратном направлении – не пропускает. P-N-переход при обратном напряжении Uобр аналогичен конденсатору со значительным током утечки в диэлектрике. Запирающий слой имеет высокое сопротивление и играет роль диэлектрика, а по обе его стороны расположены два разноименных объемных заряда +Qобр и –Qобр., созданные ионизированными атомами донорной и акцепторной примеси. Поэтому р-n-переход обладает емкостью, подобной конденсатору с двумя обкладками. Эту емкость называют барьерной емкостью. Барьерная емкость, как и емкость обычных конденсаторов, возрастает при увеличении площади р-n–перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и уменьшении толщины запирающего слоя. Особенность барьерной емкости состоит в том, что она нелинейная, т. е. изменяется при изменении напряжения на переходе. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб, уменьшается. Характер этой зависимости показывает график на рисунке. Как видно, под влиянием напряжения Uобр емкость Сб изменяется в несколько раз. Зависимость полного тока p-n–перехода от приложенного внешнего напряжения называется статической вольт – амперной характеристикой перехода. При достижении обратным напряжением критического значения Uпр обратный ток резко возрастает. Этот режим называется пробоем p-n–перехода. С практической точки зрения можно выделить два вида пробоя: 1)электрический пробой – он не опасен для p-n–перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства перехода полностью восстанавливаются; 2)тепловой пробой – он может привести к разрушению кристалла и является аварийным режимом. Электрический пробой вызван чрезмерным вырастанием напряженности электрического поля в переходе. Обратный ток вырастает, т.к. электрическое поле большой напряженности вырывает ее из ковалентных связей, и это приводит к увеличению концентрации носителей заряда в переходе. Тепловой пробой вызван нагревом перехода и сопровождается резким увеличением термогенерации носителей заряда в области перехода. Одним из важных параметров полупроводниковых приборов с электронно-дырочными переходами является допустимое обратное напряжение Uобр.max, при котором сохраняется свойство односторонней электропроводности.

4,4(81 оценок)
Новые ответы от MOGZ: Физика
logo
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси Mozg
Открыть лучший ответ