Ионная наследственность в неорганических соединениях может проявляться тогда, когда у конкретного компонента соединения есть определенная степень свободы. Такая ситуация возможна, если перенасытить данную неорганическую структуру соответствующей составляющей соединения. Этот эффект проще всего исследовать на щелочногалоидных кристаллах (ЩГК). Сразу оговоримся, что для биообъектов имеет смысл только идеология анализируемых позиций, а никак не количественные характеристики рассматриваемых процессов. Автор оставляет право за читателей
сстраполировать изложенные ниже факты проявления наследстенности на биопроцессы.
В Дальнейшем речь будет идти об изменении состояния разИчНых электронновакансионных (или дырочновакансионных) ефектов (центров окраски), вызывающих ЭМпоглощение в воволновой области спектра оптического поглощения, по сравнению с областью собственного поглощения. Изменение состояния цетров окраски легко контролируется и является хорошим индикаторов структурных изменений.
2Mg+O₂-->2MgO
Сначала найдём количество магния по формуле n=m/M, где n-колличество вещества, m-масса, M-молярная масса:
n(Mg)=12г:24г/моль=0,5моль
Теперь смотрим на коэффициенты перед магнием и кислородом.
Перед магнием стоит 2, а перед кислородом 1.
Значит, колличество кислорода в 2 раза меньше колличества магния:
n(O₂)=n(Mg)/2=0,5моль:2=0,25моль
Теперь можем найти объём кислорода по формуле
где V-объём, -молярный объём (у газов он всегда равен 22,4 л/моль), n-колличество вещества:
V(O₂)=22,4л/моль·0,25моль=5,6л
ответ: 5,6 л.