М
Молодежь
К
Компьютеры-и-электроника
Д
Дом-и-сад
С
Стиль-и-уход-за-собой
П
Праздники-и-традиции
Т
Транспорт
П
Путешествия
С
Семейная-жизнь
Ф
Философия-и-религия
Б
Без категории
М
Мир-работы
Х
Хобби-и-рукоделие
И
Искусство-и-развлечения
В
Взаимоотношения
З
Здоровье
К
Кулинария-и-гостеприимство
Ф
Финансы-и-бизнес
П
Питомцы-и-животные
О
Образование
О
Образование-и-коммуникации
aika9626
aika9626
04.04.2022 07:17 •  Физика

Фокусна відстань тонкої двоокупної лінзи становить 20 см. Чому дорівнює її оптична сила?

👇
Открыть все ответы
Ответ:
katirina61171Rfn
katirina61171Rfn
04.04.2022
1. Закон сохранения импульса (раз тележки остановились, то изначальные импульсы были равны по модулю, но противоположны по знаку):
m1*V1 -m2*V2 = 0
0,6*2 = m2*3
m2 = 0,4кг или 400г - это ответ

2. Второй закон Ньютона в проекции на вертикаль в верхней точке:
mg - N = ma
N = m*(g-a)
Центростремительное ускорение a=V²/r должно быть равно ускорению свободного падения g. В этом случае сила реакции опоры N будет нулевой, а значит вес нулевой и невесомость.
V²/40 = 10
V² = 400
V = 20 (м/с) - это ответ

3. При вертикальном подъеме нужна сила Fт=m*g.
Проекции сил, действующие на брусок на склоне, рисунок рисовать не буду, т.к. это полный стандарт в любой задаче.
Тянем вверх без ускорения, значит ma=0
F - Fтр - m*g*sina = 0 - проекции на ось вдоль плоскости, по которой тянем
N - m*g*cosa = 0 - проекции на перпендикуляр к плоскости
Fтр=k*N  

Подставляем N из 2 ур-я и получившееся в 1-е ур-е.
F=k*m*g*cosa + m*g*sina
По условию тянуть труднее, значит, 
F > Fт
k*m*g*cosa + m*g*sina > mg
k*cosa + sina > 1
k > (1-sina)/cosa

k > 0,58 - это ответ
4,4(51 оценок)
Ответ:
mahamde
mahamde
04.04.2022
1. Металлы пропускают электрический ток в обоих направлениях, полупроводники- только в одном, диэлектрики не пропускают вообще.
2.Носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Те носители, концентрация которых выше, называют основными носителями заряда, а носители другого типа — неосновными.
3. Легирование - внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
4. Донорные и акцепторные, которые создают носители-электроны и носителидырки.
4,5(50 оценок)
Это интересно:
Новые ответы от MOGZ: Физика
logo
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси Mozg
Открыть лучший ответ