нм имеет энергию
эВ, то фотон с энергией
эВ имеет длину волны
нм, что как раз хорошо бы подошло для этой задачи, поскольку длина волны испущенного фотона должна быть меньше длины поглощённого. А вот если брать без поправки исходное данное в задаче значение
мэВ, т.е. в 1000 раз меньше, то длина волны получится
мкм
нм, что в
раз больше длины волны падающих фотонов лазера, а значит, энергия поглощалась бы кристаллом, и никакого антистоксового охлаждения бы не наблюдалось. Таким образом, в условии задачи необходимо сделать исправление:
равна НЕ
мэВ, а просто –
эВ !
-кванта :
где
– энергия одного фотона поглощаемых лазерных лучей.
где
– длина волны лазерных лучей.
лазерного излучения, попадающего на кристалл, можно вычислить, как
;
образующих этот поток за время
можно найти, как: 
получим, что полное число фотонов
поглощаемых кремнием 
отнятую у нано-кристалла за время
можно найти, перемножив полное число процессов антистоксового пере-испускания, равное числу поглощённых фотонов, на энергию, отнимаемую у вещества в одиночном процессе пере-испускания:

тогда: 
отнятую у нано-кристалла за время
можно найти через:
Дж/(K·моль) кремния,
молярную массу
кг/моль,
кг/м³ и объём
как:
;
;
;
Вт/см²
Вт
м
Вт
м²
Вт/м² .
сек 
сек
сек 
сек
сек
мс .
мс