Ударная ионизация — физическая модель, описывающая ионизацию атома при ударе о него электрона (или другой заряженной частицы — например, позитрона, иона или «дырки»). Явление может наблюдаться как в газах, так и в твёрдых телах (в частности, в полупроводниках).
В полупроводниках электрон или дырка, набравшие достаточно высокую кинетическую энергию в сильном электрическом поле, могут ионизовать кристалл и создать в нём электронно-дырочную пару. Для ионизации полупроводника энергия горячего носителя должна превышать ширину запрещённой зоны.
Я взял вот такой кусок из задачи) Для удобного проецирования, нужно выгодно расположить координатные оси. В данном случае оги пойдут вдоль направления силы реакции опоры и вдоль силы трения и силы натяжения нити. Проецируем первое тело на ось Х и получаем сила натяжения нити минус произведение силы тяжести на синус угла альфа. Синус это отношение противолежащего катета к гипотенузе. Вектор силы тяжести к углу альфа считается противоположной стороной следовательно будет синус. При проецировании на ось У наоборот. ( Однако в таких задачах самое главное разобраться с какой-нибудь одной осью, потомучто на другой в любом случае угол будет противоположным. Так например если на Х синус, то на У в любом случае будет косинус.) Ну а со вторым телом все понятно там никаких углов нет, для него даже можно взять отдельную систему координат.
В полупроводниках электрон или дырка, набравшие достаточно высокую кинетическую энергию в сильном электрическом поле, могут ионизовать кристалл и создать в нём электронно-дырочную пару. Для ионизации полупроводника энергия горячего носителя должна превышать ширину запрещённой зоны.