Тесты
 1. Какая из приведенных формул выражает закон Ома в интегральной форме для участка цепи:
 а) I= ε/(R+r),
 b) I= ε^2/(R^2+r^2 ),
 c) I=U/R,
 d) I=ε^2/(R+r).
 2. При нормальной дисперсии показатель преломления n с уменьшением длины волны:
 a) остается постоянным,
 b) равен нулю,
 c) возрастает,
 d) убывает.
 3. Главные дифракционные минимумы к-го порядка (к=1,2,3, …) на одиночной щели шириной а наблюдаются под углом ϕ, удовлетворяющих условию:
 a) sin ϕ = 2k /a,
 b) sin ϕ = (2k-1) /2a,
 c) sin ϕ =k /a,
 d) sin ϕ =k /2a.
 4. Физический смысл момента инерции:
 a) произведение момента силы на время действия,
 b) мера инертности во вращательном движении,
 c) произведение силы на плечо.
 5. Какая из приведенных ниже формул выражает второй закон Ньютона?
 a) F = -k∆x,
 b) F = (d(mv))/dt,
 c) F = μN,
 d) F = G(m_1 m_2)/r^2 .
 6. Элекроемкость проводника зависит от:
 a) от свойств окружающей среды,
 b) геометрических размеров проводника и от формы проводника,
 c) от наличия вблизи других проводников,
 d) зависит от всех перечисленных параметров.
 7. Первый закон Вина утверждает, что максимум энергетической светимости абсолютно черного тела с увеличением температуры смещается:
 a) в область низких частот,
 b) в область длинных длин волн,
 c) в область высоких частот,
 d) в область коротких длин волн.
 8. По какой из приведенных ниже формул вычисляется значение силы Ампера, действующей на проводнике с током в магнитном поле:
 a) F = ma,
 b) F = IBLsinα,
 c) F = QE,
 d) F = QvBsinα.
 9. Формула Вульфа-Брегга для дифракции на решетке имеет вид:
 a) 2αsin θ =k ,
 b) 2αsin θ= 3k ,
 c) αsin θ= 3k ,
 d) 2αsin θ= 1/2k .
 10. С какой стационарной орбиты на какую переходит электрон в атоме водорода в серии Бальмера, испуская квант с наименьшей частотой?
 a) с четвертой на вторую,
 b) со второй на первую,
 c) с третьей на вторую,
 d) с третьей на первую.
                                                            
                             
                         
                    
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.