міжнародна система одиниць (сі) (міжнародна абревіатура si з фр. système international d'unités) — сучасна форма метричної системи, збудована на базі семи основних одиниць[1]. сі є найуживанішою системою одиниць при проведенні вимірювань та розрахунків в різних галузях науки, техніки, торгівлі тощо.
у 1960 11-ю генеральною конференцією з мір та ваг міжнародна система одиниць сі була рекомендована як практична система одиниць для вимірювань фізичних величин. головна мета впровадження такої системи — об'єднання великої кількості систем одиниць (сгс, мкгсс, мкс тощо) з різних галузей науки й техніки та усунення труднощів, пов'язаних з використанням значної кількості коефіцієнтів при перерахунках між ними і створенням великої кількості еталонів для забезпечення необхідної точності. переваги сі забезпечують підвищення продуктивності праці проектантів, виробників, науковців; спрощують та полегшують навчальний процес, а також практику міжнародних контактів між державами.
міжнародна система одиниць сі складається з набору одиниць вимірювання та набору кратних і часткових префіксів до них. система також визначає стандартні і позначення для одиниць та правила запису похідних одиниць.
система сі не є незмінною, вона є набором стандартів, в якому створюються одиниці виміру та коригуються їхні визначення згідно з міжнародними залежно від рівня сучасного розвитку вимірювальних технологій.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
0,06 м/с
Объяснение:
Изобразим все силы на рисунке. Так как тело движется при подъеме с постоянной скоростью, равнодействующая всех сил, действующих на тело равна нулю, в проекциях на вертикальную ось:
Или:
Выразим отсюда коэффициент сопротивления:
Объем тела V найдем, зная его массу и плотность:
Коэффициент сопротивления:
В случае установившегося падения равнодействующая всех сил также будет равна нулю:
Откуда, установившаяся скорость погружения: