Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Путь равен 70 м, перемещение равно 50 м
Объяснение:
Траектория - это линия вдоль которой движется тело ( в нашем случаем сначала тело двигалось прямо, затем направо)
Путь по определению это длина траектории тела, то есть это будет сумма всего расстояния пройденного телом: L = 30+40 = 70 м
Перемещение - это вектор проведенный из начального положения в конечное ( то есть кратчайшее расстояние между началом и концом).
Получаем, что перемещение в итоге будет гипотенузой прямоугольного треугольника. По теореме Пифагора: ∣s→∣ = √(30^2+40^2) = 50 м
= k \frac{q}{r} k
r
q
k - коэффициент пропорциональности ( 9 * 10⁹ Н * м² / Кл² )
q - заряд
r - расстояние ( 30 см = 0,3 м )
E = k \frac{q}{r^2} k
r
2
q
> q = \frac{E * r^2}{k}
k
E∗r
2
Е - напряжённость поля ( 2 кВ/м = 2000 В/м )
r = 0,3 м
k = 9 * 10⁹ Н * м² / Кл²
q = \frac{2000 * 0,3^2}{9 * 10^9} = \frac{2000 * 0,09}{9 * 10^9} = \frac{180}{9000000000}
9∗10
9
2000∗0,3
2
=
9∗10
9
2000∗0,09
=
9000000000
180
= 0,00000002 Кл
φ = \frac{9000000000 * 0,00000002 }{0,3} = \frac{180}{0,3}
0,3
9000000000∗0,00000002
=
0,3
180
= 600 B