200*60=12000 см
ОТВЕТ:12000 СМ
1). Ключ разомкнут.
Мощность тока, выделяемая на верхних и нижних резисторах одинаковая и равна 250 Вт.
Мощность тока:
P = I²·R
В верхней и нижней паре резисторов течет одинаковый ток, равный половине общего тока в цепи:
I₁ = I₂ = I/2 = 1,25 (A)
Сопротивление верхней и нижней пары резисторов:
R₁ = R₂ = 4P₁/I² = 4P₂/I² = 1000 : 6,25 = 160 (Ом)
Общее сопротивление цепи:
R = R₁R₂/(R₁+R₂) = 25600 : 320 = 80 (Ом)
Напряжение на источнике питания:
U = I·R = 2,5 · 80 = 200 (В)
Сопротивление 50-ваттного резистора:
R₁₁ = R₂₂ = 50 : 1,25² = 32 (Ом)
Сопротивление 200-ваттного резистора:
R₁₂ = R₂₁ = 200 : 1,25² = 128 (Ом)
Напряжение на 50-ваттных резисторах:
U₁₁ = U₂₂ = I₁·R₁₁ = I₂·R₂₂ = 1,25 · 32 = 40 (B)
Напряжение на 200-ваттных резисторах:
U₁₂ = U₂₁ = I₁·R₁₂ = I₂·R₂₁ = 1,25 · 128 = 160 (B)
2). Ключ замкнут.
Резисторы соединены двумя последовательными группами, в каждой из которых два параллельно соединенных резистора по 32 и 128 Ом.
Общее сопротивление цепи:
R = R₁ + R₂ = 2 · 32 · 128 : 160 = 51,2 (Ом)
Напряжение на резисторах при том же токе в цепи:
U = I·R = 2,5 · 51,2 = 128 (B)
Напряжения на левой и правой группе резисторов одинаковые и равны половине общего напряжения:
U₁ = U₂ = U/2 = 64 (B)
Мощность тока на резисторах R₁₁ и R₂₂ (32 Ом):
P₁₁ = P₂₂ = U₁²/R₁₁ = U₂²/R₂₂ = 64² : 32 = 128 (Вт)
Мощность тока на резисторах R₁₂ и R₂₁ (128 Ом):
P₁₂ = P₂₁ = U₁²/R₁₂ = U₂²/R₂₁ = 64² : 128 = 32 (Вт)
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Дано:
m=60кг
S=200см^2=0,02м^2
P - ?
P=F/S; F=mg; g=9,8м/с^2 (может быть 10м/с^2 - верно будет и то, и то, только 10 это для удобства, но мы будем считать 9,8)
F=60кг*9,8м/с^2=588 Н
P=588Н/0,02м^2=29400 Па
Но тут есть хитрость - у человека ДВЕ ноги, поэтому:
29400Па*2=58800 Па
ответ: P=58800 Па=58 кПа
Удачи!