Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзистором прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора
Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт.
Режим насыщения: оба перехода открыты.
Режим отсечки: оба перехода закрыты.
Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмиттерный закрыт.
Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.
Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттерный переход равен сумме электронного и дырочного
Версия 1. В начальном состоянии давление кислорода массой 320 г было 83кПа. При увеличении температуры НА (!) 100К объем кислорода возрос на 50 л и давление стало 99,6 кПа. Найти начальный объем и температуру газа. Уравнение идеального газа вначале:
Версия 2. В начальном состоянии давление кислорода массой 320 г было 83кПа. При увеличении температуры ДО (!) 100К объем кислорода возрос на 50 л и давление стало 99,6 кПа. Найти начальный объем и температуру газа.
Уравнение идеального газа вначале:
Po Vo = (m/μ) R To ;
Уравнение идеального газа вконце:
P (Vo+∆V) = (m/μ) RT ;
Vo + ∆V = (m/μ) RT/P ;
Vo = (m/μ) RT/P – ∆V ;
Vo ≈ (320/32) 8.315 * 100 / 99 600 – 0.05 ≈ 1663/19920 – 0.05 ≈ 33.5 л ;
сначало 80*9,8=800 ПОТОМ 40КГ*9.8=400н после 2m*0.075м=0.15м2 потом 1.6м *0.065м+0.104м2 потом 800 делить0.15+5333па потом 400делить0.0104=3846ПА ОТВЕТ ЛЫЖИ ОТЦА УГЛУБЛЯТСЯ БОЛЬШЕ
Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзистором прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора
Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт.
Режим насыщения: оба перехода открыты.
Режим отсечки: оба перехода закрыты.
Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмиттерный закрыт.
Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.
Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттерный переход равен сумме электронного и дырочного