Під час розтягання пружини на х була виконана робота а. якуроботу треба виконати, щоб розтягти пружину на 0,3х? а. 0,09 а.б. 0,3 а.в. 0,7 а.г. 0,9 а.завдання 4 (2 )якою є корисна потужність підйомника, що піднімає відро масою12 кг на висоту 16 м за 8 с? завдання 5 (3 )по похилій площині довжиною 20 м на висоту 12 м затягають ван-таж масою 40 кг. яку силу вздовж похилої площини при цьому при- до вантажу, якщо ккд похилої площини дорівнює 80 % ? завдання 6 (4 )на нерухомий куб, що стоїть на гладкій площині, налітає кулямасою 3 кг. у результаті пружного лобового зіткнення куля відс-какує назад зі швидкістю, що дорівнює чверті початкової швид-кості. якою є маса куба?
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.