Полупроводники (мы говорим о собственно полупроводниках кремний, арсенид галлия и тд без примесей), имеют во внешней электронной оболочке электроны, которые не так сильно связаны с ядром, как в изоляторах, но и не так слабо, как в металлах. Однако, при нагреве, они легко отрываются от ядер и мы получаем готовые носитель заряда. И чем больше температура, тем их больше, до определенного предела. А сопротивление кроме всего прочего зависит и от количества носителей заряда. Поэтому верен ответ В - Уменьшается из-за увеличения концентрации свободных носителей электрического заряда.
A= v^{2}/r - формула для центростремительного ускорения. так как нам надо чтобы центростремительное ускорение было равно ускорению свободного падения, то мы просто напросто приравниваем их: a=g и теперь "безболезненно" можем изменить формулу на: g=v^{2}/r теперь нам нужно узнать с какой скоростью нужно проходить по выпуклому мосту, поэтому выразим скорость из формулы: v^{2}=g*r g = величина постоянная, равна 10 м/с^2 v^{2}=10*32.4 = 324 теперь нужно извлечь корень из 324. v = 18 м/с ответ: чтобы центростремительное ускорение было равно ускорению свободного падения, автобус должен проходить середину выпуклого моста на скорости 18 м/с
600 Дж 400 Дж
Объяснение:
n=0.6 (60%) Qн=1000 Дж A=? Qx=?
===
n=A/Qн
A=n*Qн=0,6*1000=600 Дж
Qx=Qн-A=1000-600=400 Дж