Проще говоря, полупроводниковые устройства представляют собой тип электронных компонентов, которые спроектированы, разработаны и изготовлены на основе таких полупроводниковых материалов, как кремний (Si), германий (Ge) и арсенид галлия (GaAs).
С момента их использования в конце 1940-х (или начале 1950-х) полупроводники стали основным материалом при производстве электроники и ее вариантов, таких как оптоэлектроника и термоэлектроника.
До использования полупроводниковых материалов в электронных устройствах вакуумные лампы использовались в конструкции электронных компонентов. Основное различие между электронными лампами и полупроводниковыми устройствами заключается в том, что в электронных лампах проводимость электронов происходит в газообразном состоянии, тогда как в случае полупроводниковых устройств это происходит в «твердом состоянии». Полупроводниковые устройства можно найти как в виде дискретных компонентов, так и в виде интегральных схем.
Почему полупроводники?
Основная причина использования полупроводниковых устройств (лежащих в основе полупроводниковых материалов) в производстве электронных устройств и компонентов - это возможность легко управлять проводимостью носителей заряда, то есть электронов и дырок.
Как упоминалось ранее, электропроводность полупроводниковых материалов находится между проводниками и изоляторами. Даже эта проводимость может контролироваться внешними или внутренними факторами, такими как электрическое поле, магнитное поле, свет, температура и механические искажения.
Пока что игнорируя внешние факторы, такие как температура и свет, процесс, называемый легированием, обычно выполняется с полупроводниковыми материалами, когда в его структуру вводятся примеси, чтобы изменить структурные, а также электрические свойства.
Чистый полупроводник известен как внутренний полупроводник, в то время как нечистый или легированный полупроводник известен как внешний полупроводник.
Когда количество свободных электронов в полупроводниковой структуре увеличивается после легирования, полупроводник известен как полупроводник n-типа. Точно так же, если количество отверстий увеличено, он известен как полупроводник p-типа.
Собственная проводимость полупроводников
Если напряженность электрического поля в образце равна нулю, то движение освободившихся электронов и "дырок" происходит беспорядочно и поэтому не создает электрический ток.
Под воздействием электрического поля электроны и дырки начинают упорядочное (встречное) движение, образуя электрический ток. Проводимость при этих условиях называют собственной проводимостью полупроводников. При этом движение электронов создает электронную проводимость, а движение дырок - дырочную проводимость.
Различные типы полупроводниковых приборов
Ниже приводится небольшой список некоторых из наиболее часто используемых полупроводниковых устройств. В зависимости от физической структуры устройства следующий список подразделяется на устройства с двумя терминалами и устройства с тремя терминалами.
Двухконтактные полупроводниковые приборы
Диод
Диод Шоттки
Светоизлучающий диод (LED)
DIAC
Стабилитрон
Фотодиод (фототранзистор)
PIN-диод
Лазерный диод
Туннельный диод
Фото ячейка
Солнечная батарея
Диод Ганна
IMPATT диод
TVS-диод (диод для подавления переходных напряжений)
VCSEL (лазер с вертикальным резонатором, излучающий поверхность)
Трехконтактные полупроводниковые приборы
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Транзистор Дарлингтона
Кремниевый управляемый выпрямитель (SCR)
ТРИАК
Тиристор
Однопереходный транзистор
Есть также несколько полупроводников с четырьмя выводами, таких как оптопара (оптопара) и датчик Холла.
Применение полупроводниковых приборов
Как упоминалось ранее, полупроводниковые приборы являются основой почти всех электронных устройств. Некоторые из применений полупроводниковых устройств:
Транзисторы - основные компоненты в различных интегральных схемах, таких как микропроцессоры.
Фактически, они являются основными компонентами в конструкции логических вентилей и других цифровых схем.
Транзисторы также используются в аналоговых схемах, таких как усилители и генераторы.
Добрый день! Рад быть вашим учителем и помочь вам разобраться с этим вопросом.
Для начала, давайте разберемся, что такое единицы измерения сопротивления и что такое единицы измерения силы тока в системе СИ.
Единица измерения сопротивления в системе СИ - это ом (Ω). Она обозначается символом «Ω». Сопротивление измеряется в омах и показывает, как сильно препятствует течению электрического тока через материал.
Единица измерения силы тока в системе СИ - это ампер (A). Она обозначается символом «A». Сила тока измеряется в амперах и показывает, сколько электрического заряда проходит через проводник за единицу времени.
Теперь можно перейти к решению задачи.
В задаче нам даны два значения сопротивления: 53мОм и 3мОм. Нам нужно перевести эти значения в единицы си с точностью до трех цифр после запятой.
Для начала, переведем 53мОм в омы.
1 мОм (миллиом) = 0.001 Ом.
Поэтому, чтобы перевести 53мОм в омы, мы умножаем это значение на 0.001:
53мОм * 0.001 = 0.053 Ом.
Теперь переведем 3мОм в омы.
Аналогичным образом, переводим миллиомы в омы:
3мОм * 0.001 = 0.003 Ом.
Таким образом, переводя 53мОм и 3мОм в единицы си (омы), мы получаем следующие значения:
53мОм = 0.053 Ом,
3мОм = 0.003 Ом.
При записи ответа с точностью до трех цифр после запятой, ответ будет выглядеть следующим образом:
53мОм = 0.053 Ом,
3мОм = 0.003 Ом.
Надеюсь, данное объяснение помогло вам понять, как перевести значения сопротивления в единицы си с точностью до трех цифр после запятой. Если у вас остались вопросы, не стесняйтесь задавать их!
Проще говоря, полупроводниковые устройства представляют собой тип электронных компонентов, которые спроектированы, разработаны и изготовлены на основе таких полупроводниковых материалов, как кремний (Si), германий (Ge) и арсенид галлия (GaAs).
С момента их использования в конце 1940-х (или начале 1950-х) полупроводники стали основным материалом при производстве электроники и ее вариантов, таких как оптоэлектроника и термоэлектроника.
До использования полупроводниковых материалов в электронных устройствах вакуумные лампы использовались в конструкции электронных компонентов. Основное различие между электронными лампами и полупроводниковыми устройствами заключается в том, что в электронных лампах проводимость электронов происходит в газообразном состоянии, тогда как в случае полупроводниковых устройств это происходит в «твердом состоянии». Полупроводниковые устройства можно найти как в виде дискретных компонентов, так и в виде интегральных схем.
Почему полупроводники?
Основная причина использования полупроводниковых устройств (лежащих в основе полупроводниковых материалов) в производстве электронных устройств и компонентов - это возможность легко управлять проводимостью носителей заряда, то есть электронов и дырок.
Как упоминалось ранее, электропроводность полупроводниковых материалов находится между проводниками и изоляторами. Даже эта проводимость может контролироваться внешними или внутренними факторами, такими как электрическое поле, магнитное поле, свет, температура и механические искажения.
Пока что игнорируя внешние факторы, такие как температура и свет, процесс, называемый легированием, обычно выполняется с полупроводниковыми материалами, когда в его структуру вводятся примеси, чтобы изменить структурные, а также электрические свойства.
Чистый полупроводник известен как внутренний полупроводник, в то время как нечистый или легированный полупроводник известен как внешний полупроводник.
Когда количество свободных электронов в полупроводниковой структуре увеличивается после легирования, полупроводник известен как полупроводник n-типа. Точно так же, если количество отверстий увеличено, он известен как полупроводник p-типа.
Собственная проводимость полупроводников
Если напряженность электрического поля в образце равна нулю, то движение освободившихся электронов и "дырок" происходит беспорядочно и поэтому не создает электрический ток.
Под воздействием электрического поля электроны и дырки начинают упорядочное (встречное) движение, образуя электрический ток. Проводимость при этих условиях называют собственной проводимостью полупроводников. При этом движение электронов создает электронную проводимость, а движение дырок - дырочную проводимость.
Различные типы полупроводниковых приборов
Ниже приводится небольшой список некоторых из наиболее часто используемых полупроводниковых устройств. В зависимости от физической структуры устройства следующий список подразделяется на устройства с двумя терминалами и устройства с тремя терминалами.
Двухконтактные полупроводниковые приборы
Диод
Диод Шоттки
Светоизлучающий диод (LED)
DIAC
Стабилитрон
Фотодиод (фототранзистор)
PIN-диод
Лазерный диод
Туннельный диод
Фото ячейка
Солнечная батарея
Диод Ганна
IMPATT диод
TVS-диод (диод для подавления переходных напряжений)
VCSEL (лазер с вертикальным резонатором, излучающий поверхность)
Трехконтактные полупроводниковые приборы
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Транзистор Дарлингтона
Кремниевый управляемый выпрямитель (SCR)
ТРИАК
Тиристор
Однопереходный транзистор
Есть также несколько полупроводников с четырьмя выводами, таких как оптопара (оптопара) и датчик Холла.
Применение полупроводниковых приборов
Как упоминалось ранее, полупроводниковые приборы являются основой почти всех электронных устройств. Некоторые из применений полупроводниковых устройств:
Транзисторы - основные компоненты в различных интегральных схемах, таких как микропроцессоры.
Фактически, они являются основными компонентами в конструкции логических вентилей и других цифровых схем.
Транзисторы также используются в аналоговых схемах, таких как усилители и генераторы.