РЕШИТЕ , ТЕСТ. 1. Какие заряды создают потенциальный барьер?
a. ионы
b. электроны, дырки и ионы
c. электроны
d. дырки
e. электроны и дырки
f. приложенное внешнее напряжение
2. Как изменится то вызванный диффузией основных носителей заряда при приложении к р-n-переходу обратного напряжения?
a. уменьшится
b. станет равным 0
c. увеличится
d. останется без изменения
e. станет равным бесконечности
3. Что произойдет с шириной p-n-перехода при включении его в прямом направлении |Uк|=|Uвн|?
a. Стремится к бесконечности
b. Не изменится
c. Уменьшится
d. Увеличится
e. Стремится к 0
4. Что является основным носителем заряда в полупроводнике с донорной примесью?
a. Дырки
b. Электроны
5. На каких уровнях располагаются электроны слабее связанные с ядром?
a. на внешних
b. не зависит от уровня
c. на внутренних
6. Выберите верное высказывание.
a. При приложении к p-n-переходу обратного напряжения через него протекает тепловой ток, значение которого увеличивается по экспоненциальному закону в зависимости от приложенного напряжения.
b. При приложении к p-n-переходу обратного напряжения через него протекает тепловой ток, значение которого не зависит от приложенного напряжения и уменьшается по экспоненциальному закону при повышении температуры.
c. При приложении к p-n-переходу обратного напряжения через него протекает тепловой ток, значение которого не зависит от приложенного напряжения и температуры.
d. При приложении к p-n-переходу обратного напряжения через него протекает тепловой ток, значение которого зависит от приложенного напряжения и уменьшается при повышении температуры.
e. При приложении к p-n-переходу обратного напряжения через него протекает тепловой ток, значение которого не зависит от приложенного напряжения и увеличивается по экспоненциальному закону при повышении температуры.
7. Как называется величина φСв выражении для определения потенциала Ферми?
a. температурный потенциал
b. потенциал нижней границы запрещенной зоны
c. потенциал середины запрещенной зоны
d. потенциал верхней границы зоны проводимости
e. потенциал нижней границы зоны проводимости
f. потенциал верхней границы валентной зоны
8. Как называется процесс возникновения двух носителей заряда – электрона и дырки?
a. генерация
b. легирование
9. Чему равна концентрация электронов в p-области в условиях термодинамического равновесия изолированных образцах?
a. концентрации доноров
b. отношению квадрата собственной концентрации к концентрации доноров
c. отношению концентрации собственной к концентрации доноров
d. концентрации акцепторов
e. отношению концентрации доноров к собственной концентрации
10. Что является основным носителем заряда в полупроводнике n-типа?
a. Дырки
b. Электроны
11. Смещение p-n-перехода в прямом направлении. Как изменится ток диффузии?
a. увеличится
b. уменьшится
c. не изменится
d. стремится к бесконечности
e. стремится к 0
12. Выберите правильный вариант?
a. Нет правильного ответа
b. Возможен любой вариант ответа
c. Через р-n-переход в равновесном состоянии движется один поток зарядов.
d. Через р-n-переход в равновесном состоянии движутся два согласно направленных потока зарядов, находящихся в динамическом равновесии.
e. Через р-n-переход в равновесном состоянии движутся два встречно направленных потока зарядов, находящихся в динамическом равновесии и взаимно компенсирующих друг друга
13. По какому признаку оценивается начало туннельного пробоя?
a. Нет правильного ответа
b. По десятикратному превышению туннельного тока над прямым.
c. По десятикратному превышению туннельного тока над обратным.
d. По стократному превышению туннельного тока над прямым.
e. По стократному превышению туннельного тока над обратным.
14. За счет какой энергии осуществляется хаотичное перемещение подвижных носителей заряда?
a. электромагнитной
b. электрической
c. магнитной
d. тепловой
e. электромеханической
15. Где располагаются валентные электроны?
a. на внешних оболочках
b. на любых оболочках
c. на внутренних оболочках
ответ: в первом е
2е
3в
4а
5б
6с
7б
8б
9б
10б
11а
12д
13д
14а
15а
Объяснение: