Які причини виникнення струмів в напівпровідниках? а) нерівномірна концентрація носіїв заряду в об’ємі напівпровідника;
б) існування власних шумів напівпровідника;
в) прикладене до напівпровідника електричне поле;
г) збільшення температури навколишнього середовища.
2. В якому включенні р-п переходу потенційний бар’єр може дорівнювати 0?
а) в прямому;
б) в зворотному;
в) потенційний бар’єр не може бути рівним 0.
3. Намалювати умовне позначення біполярного транзистора та підписати його виводи.
4. Яка схема включення транзистора має найкращі узгоджувальні властивості?
а) СБ;
б) СЕ;
в) СК.
Для работы камеры Вильсона оптимально Р от 0,1 до 2 атм;
при более высоких давлениях работа затруднена необходимостью
очищать камеру от капель, оставшихся после расширения.
С ростом давления увеличивается также время нечувствительности
(мёртвое время) .
Для измерения импульсов частиц, регистрируемых в камере Вильсона ,
её помещают в магн. поле; для увеличения количества вещества, проходимого частицей, в ней располагают пластины из плотного материала, оставляя между ними зазоры для наблюдения следов (треков) частиц .
преимущество
немалым преимуществрм есть дешовизна.
Происходит переход и t 0 градусов C