1,5 м/с
Объяснение:
Дано:
m = 2 кг
v₀ = 0
t₁ = 1 c
Найти:
- проекцию скорости на ось Оу
Проекции силы на координатные оси:
Проекции ускорения на координатные оси:
Проекции скорости на координатные оси при движении из состояния покоя:
В момент времени t₁ = 1 c проекция скорости на ось Оу
Одним из условий возникновения электрического тока является наличие свободных зарядов двигаться под действием электрического поля.
Металлы состоят из положительно заряженных ионов, находящихся в узлах кристаллической решетки и совокупности свободных электронов. Вне электрического поля свободные электроны движутся хаотически, подобно молекулам идеального газа, а потому рассматриваются в классической электронной теории как электронный газ.
Под действием внешнего электрического поля меняется характер движения свободных электронов внутри металла. Электроны, продолжая хаотичные движения, вместе с тем смещаются в направлении действия сил электрического поля.
Следовательно, электрический ток в металлах - это упорядоченное движение электронов.
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
Объяснение:
Дано:
m = 2 кг
F = ( 3·i + 6t·j ) H
t = 1 c
Vy - ?
1)
По закону Ньютона находим ускорение тела:
a = F / m = ( 3·i + 6t·j ) / 2
a = 1,5·i + 3t·j
2)
Проекция ускорения на ось ОХ:
aₓ = 1,5 м/с²
Проекция ускорения на ось ОY:
ay = (3·t) м/с²
3)
Проекция скорости на ось ОY численно равна площади треугольника:
Vy(t) = ay·t / 2 = (3·t)·t/2 = 3·t²/2 = 1,5·t²
В момент времени t = 1 c:
Vy(1) = 1,5·1² = 1,5 м/с