М
Молодежь
К
Компьютеры-и-электроника
Д
Дом-и-сад
С
Стиль-и-уход-за-собой
П
Праздники-и-традиции
Т
Транспорт
П
Путешествия
С
Семейная-жизнь
Ф
Философия-и-религия
Б
Без категории
М
Мир-работы
Х
Хобби-и-рукоделие
И
Искусство-и-развлечения
В
Взаимоотношения
З
Здоровье
К
Кулинария-и-гостеприимство
Ф
Финансы-и-бизнес
П
Питомцы-и-животные
О
Образование
О
Образование-и-коммуникации
Łųçů
Łųçů
27.12.2020 16:48 •  Физика

Тест по теме: «Полупроводники» 1.Для полупроводников характерна зависимость удельного электрического сопротивления от: а) от изменения температуры б) от изменения напряжения
в) от введения примесей
г) от всех перечисленных характеристик
2.Основными параметрами полупроводниковых материалов являются:
а) удельная объемная электропроводность, температурный коэффициент линейного расширения, предел упругости
б) ширина запрещенной зоны, концентрация собственных носителей заряда, подвижность носителей заряда при нормальной температуре в) диэлектрическая проницаемость, удельное сопротивление, тангенс угла диэлектрических потерь
г) магнитная проницаемость, коэрцитивная сила, удельное сопротивление
3.Процесс контролируемого введения в полупроводник необходимых примесей называется? а) легированием б) поляризацией в) адгезией г) аллотропией
4.Какие из типов сложных полупроводников существуют: а) АV В V, А III В II, АII ВV, АV ВIII, А3V В 5VI б) АIV В IV, А III ВV, АII ВVI, АIV ВVI, А2V В3VI в) АII В IV, А II ВV, АVIII ВV, АV ВVI, А3V В 3VI г) АIV ВV, А III В IV, АII ВVI, АIV ВVI, А5V В 3V
5.Название терморезистора, сопротивление которого с ростом температуры падает:
а) позистор б) варистор в) термистор г) фоторезистор
6.Полупроводниковый диод, предназначенный для выпрямления переменного тока: а) туннельный б) стабилитрон в) варикап г) выпрямительный 7.Какие полупроводниковые приборы применяются для получения неизменяющегося напряжения:
а) динисторы б) стабилитроны в) варикапы г) тиристоры 8.Вещества, удельная электрическая проводимость которых меньше, чем у металлов и больше, чем у диэлектриков – это: а) полупроводники б) проводники в) диэлектрики г) магниты
9.Установить соответствие между понятиями и выполняемой ими операцией:
1)донор 2)акцептор
А.примесь,удерживающая электроны
Б. примесь, снабжающая полупроводник свободными электронами
10. Что обозначает цифра 19 в маркировке сложного полупроводника АГЧЦ-2 1-19:
а) номер марки б) величина концентрации основных носителей заряда в) вид материала г) показатель степени десятичного порядка 11.Серебристо-белое кристаллическое вещество, относится к IV группе периодической системы элементов: а) теллур б) кристаллический германий в) кристаллический кремний г) селен
12. К какому типу полупроводниковых материалов относиться сульфид свинца (PbS):
а) сложный полупроводник типа АIIIВV
б) сложный полупроводник типа АIIВVI
в) сложный полупроводник типа АIVВVI
г) сложный полупроводник типа А2VВ3VI

👇
Открыть все ответы
Ответ:
StarBoy12ewq
StarBoy12ewq
27.12.2020

Давление жидкости на дно сосуда:

         p = ρgh, где ρ - плотность жидкости, кг/м³

                               g = 9,8 H/кг - ускорение своб. падения

                               h - высота столба жидкости, м

1). От плотности. Чем больше плотность жидкости, тем большее давление она оказывает при одной и той же высоте столба.

2). От ускорения свободного падения. При удалении от поверхности Земли ускорение свободного падения уменьшается:

            \displaystyle g=\frac{GM}{(R+h)^{2}}      

где G = 6,67·10⁻¹¹ H·м²/кг² - гравитационная постоянная

      М = 6·10²⁴ кг - масса Земли

      R = 6,38·10⁶ м - радиус Земли

      h - высота над поверхностью Земли

3). От высоты столба жидкости. Чем больше высота, тем большее давление одна и та же жидкость оказывает на дно сосуда.

 

     

4,6(80 оценок)
Ответ:
KMasha11
KMasha11
27.12.2020

Від типу речовини.

Від площі перерізу S

Від довжини провідника l

Від температури

Объяснение:

Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір  матеріалу, з якого зроблений провідник.

Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.

Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.

4,5(15 оценок)
Это интересно:
Новые ответы от MOGZ: Физика
logo
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси Mozg
Открыть лучший ответ