10. Как изменяются примесная и собственная проводимости полупроводника с ростом температуры?
11. Почему существует техническая температурная граница использования полупроводника?
Чему она равна для кремния и для германия?
12. Почему не каждая «встреча» электрона и дырки приводит к рекомбинации?
13. Как влияет равновесная концентрация электронов на равновесную концентрацию дырок
(и наоборот)?
14. Как быстро избыточная (неравновесная) концентрация носителей заряда возвращается к
равновесному уровню?
222
r r rx ry rz ,
где rx , ry , rz – проекции перемещения на оси координат или rx x , ry y , rz z .
Средняя скорость (векторная)
r
где r – перемещение материальной точки за время t .
Мгновенная скорость dr
dt dt dt
ср. t ,
мгн. dt ix jy kz ,
где x dx, y dy, z dz –проекциивектораскорости наоси
координат, а модуль скорости имеет вид
222.
Средняя путевая скорость (скалярная величина) ср. St ,
где S – путь, пройденный точкой за промежуток времени