Электроемкость это физическая величина которая указывает на проводника накапливать электрические заряды С=Q/φ - электроемкость уединенного проводника 1Ф=1 Кл/В
Конденсатор - два проводника разделенные слоем диэлектрика C=Q/U Q - заряд одной пластины U - напряжение Для плоского конденсатора C=ε*εο*S/d ε - диэлектрическая проницаемость S - площадь d - расстояние между пластинами W= q*U/2=q^2/2*C=C*U^2/2 - энергия заряженного конденсатора
Углы, под которыми наблюдаются интерференционные максимумы дифракционной решетки, определяются выражением: d*sin(α) = λ*N. Здесь d - период дифракционной решетки d = 1/500 = 0/002 мм = 2 мкм; (α) – угол, под которым наблюдается тот или иной интерференционный максимум; λ – длина волны излучения, для которой определяется положение максимума; N – порядковый номер максимума, который отсчитывается от центра. Отсюда λ= d*sin(α)/N. Т.к. N=1, то λ= d*sin(α). Можно найти тангенс угла α tg(α) = 0,1/2=0,05. Поскольку угол α достаточно мал, то можно принять, что tg(α) = sin(α). Тогда λ = 2*0,05 = 0,1 мкм
Сила тока — скалярная величина, равная отношению заряда через поперечное сечение проводника, к промежутку времени, в течение которого шёл ток.
По закону Ома сила тока I для участка цепи прямо пропорциональна приложенному напряжению U к участку цепи и обратно пропорциональна сопротивлению R проводника этого участка цепи:
I=U/R
По закону Ома для полной цепи:
I=ε/(R+r)
Носителями заряда, движение которых приводит к возникновению тока, являются заряженные частицы, в роли которых обычно выступают электроны, ионы или дырки. Сила тока зависит от заряда q этих частиц, их концентрации n, средней скорости упорядоченного движения частиц Vср а также площади S и формы поверхности, через которую течёт ток.
С=Q/φ - электроемкость уединенного проводника
1Ф=1 Кл/В
Конденсатор - два проводника разделенные слоем диэлектрика
C=Q/U
Q - заряд одной пластины
U - напряжение
Для плоского конденсатора C=ε*εο*S/d
ε - диэлектрическая проницаемость
S - площадь
d - расстояние между пластинами
W= q*U/2=q^2/2*C=C*U^2/2 - энергия заряженного конденсатора