Биполярный транзистор – это прибор с двумя р-n-переходами и тремя выводами (рис. 4.1). Возможны две структуры транзистора: р–n–p и n–p–n.Транзистор, выполненный по структуре p-n-p, называют транзистором прямой проводимости, а со структурой n-p-n-обратной.Процессы в транзисторах p-n-p и n-p-n аналогичны. Поэтому рассмотрим только один. Возможны четыре режима работы транзистора
Активный режим: эмиттерный переход открыт, коллекторный – закрыт.
Режим насыщения: оба перехода открыты.
Режим отсечки: оба перехода закрыты.
Инверсный активный режим: коллекторный переход открыт, эмиттерный закрыт.
Во всех аналоговых устройствах транзистор используется в активном режиме. Другие режимы транзистора характерны для импульсных устройств.
Рассмотрим токи через транзистор со структурой p-n-p в активном режиме. Для транзистора структуры n-p-n полярность напряжений на электродах должна быть противоположной. Ток через открытый эмиттерный переход равен сумме электронного и дырочного
1 Сила тока – физическая величина, характеризующая скорость прохождения заряда через проводник и равная отношению заряда гo через пoперeчное сечение проводника за промежуток времени t, к этому промежутку времени: I = q/t. Единица измерения силы тока – 1 ампер (1 А).2 За единицу силы тока принимают такую силу тока, при которой отрезки параллельных проводников длиной 1 м, находящиеся на расстоянии 1 м друг от друга, взаимодействуют с силой 2*10-7Н. Эта единица и называется ампером (1 А).3Зная формулу силы тока, можно получить единицу электрического заряда: 1 Кл = 1А * 1с.
Объяснение
Q(стального шара)=cmt1-t2=460*5*400=920кДЖ
920кДж=334*m*5 отсюда m=920\334*5=примерно 0,55кг льда