Qп = 686 400Дж = 686,4кДж
Объяснение:
Первым делом надо найти, какое количество теплоты пойдет на нагрев кастрюли,
Q = c*m*(t₁-t₂)
Q₁ = 900Дж/кг℃ * 0,2 кг * (100℃-20℃) = 14400Дж
я думаю не надо объяснять, почему изначально температура кастрюли была 20℃, а потом 100℃.
Теперь найдем количество теплоты, которое пойдет на нагрев воды:
Q₂ = 4200Дж/кг℃ * 2кг * (100℃-20℃) = 672 000Дж
Теперь найдем Qп, просто сложить Q₁ и Q₂
Qп = 14400Дж + 672 000Дж = 686 400Дж
Ах, да, забыл уточнить, потерями теплоты я пренебрег
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
mU1^2/2=2mU2^2/2
V1^2=2V2^2
V2^2=100/2
V2=7м/с