Красная граница фотоэффекта – это минимальная частота падающей электромагнитной волны, при которой ещё наблюдается фотоэффект. Это значит, что она соответствует такой энергии фотона Eф = h*ν, которая равна работе выхода Aвых электрона из меалла: h*ν_кр = Авых h = 6,63*10^(-34) Дж*с – постоянная Планка; ν_кр = Авых / h
Переведём для удобства постоянную Планка h из "Дж*с" в "эВ*с": 1 Дж = 0,625*10^19 эВ h = 6,63*10^(-34) * 0,625*10^19 эВ*с = 4,14*10^(-15) эВ*с
Под красной границей фотоэффекта можно понимать ещё и максимальную длину волны λ_кр, при которой ещё наблюдается фотоэффект. Найденные частоты ν_кр связаны с длиной волны так λ_кр: λ_кр = c / ν_кр, где c = 3*10^8 м/с скорость света в вакууме.
Сть такое понятие - электроотрицательность атома. Этот параметр можно изменять искусственно помещая, например, металлическую заготовку внутрь соленоида и подавая на него напряжение от источника импульсного тока. В результате под действием импульсного напряжения свободные электроны перемещаются в материале с одного конца к другому осуществляя поляризацию, избыток электронов на одном конце и недостаток на другом. Обычно после снятия импульса происходит быстрое восстановление равномерного распределение концентрации свободных электронов вдоль заготовки. Однако в Д- материалах часть свободных электронов уже во время импульса оказываются связанными с атомами и не могут возвратиться, создав атомы с повышенной электроотрицательностью на одном конце заготовки и электроположительность на другом конце заготовки. В результате образуются три зоны: зона с повышенной электроотрицательностью, зона с пониженной электроотрицательностью и нейтральная - в центре заготовки. Это состояние термодинамически неустойчиво и приводит к возникновению колебаний параметров кристаллической решётки, результате которой изменяется расстояние между атомами и величина ковалентной связи между атомами. Эффективное значение силы ковалентной связи в пространстве как бы перераспределяется, ослабляется в направлении внутрь заготовки и увеличению с торцов, что характерно для постоянных магнитов. Если свободных электронов после импульса остаётся много, то процесс в нормальное состояние( размагничивание) происходит быстро. Если приняты меры для уменьшения установившегося значения концентрации свободных электронов, например, окислением атомов, применением мелкодисперсионного материала, приближением условий, близких к диэлектрику, то это устойчивости постоянного магнита. Эта гипотеза объясняет практически все известные явления, характерные для постоянного магнита. Подробно об этом написано в статье Куликова Ю.Н., которую можно найти на сайте: Рязань, "Политех", магнитное поле, 1915 год
