Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
С другой стороны v = v₀ - g*t = 0, скорость в наивысшей точке равна нулю
v₀ = g*t
t1 = t/2 = корень(2*H/g) / 2
h = v₀*t₁ - g*t₁²/2 = g*t * корень(2*H/g) / 2 - g*(корень(2*H/g) / 2)²/2
h = g*t * корень(2*H/g)/2- H/4
4*h = 2*g*корень(2*H/g)*корень(2*H/g) - H
4*h = 2*g*2*H/g -H
4*h = 4H - H
4*h = 3*H => H = 4*h/3 = 4*9 м / 3 = 12 м - максимальная высота подъема
П = m*g*H = m * 10 м/с² * 12 м = 120*m (Дж)
Вычислить потенциальную энергию не представляется возможным, так как в условии отсутствует масса тела.