Транзисторы—механически прочные приборы. Но они не выдерживают чрезмерно большие токи в проводящем направлении.
Если случайно между базой и эмиттером окажется напряжение со знаком минус на базе, то создающийся при этом большой ток через эмиттерный переход может испортить транзистор.
Транзисторы боятся перегрева во время пайки и недопустимо больших прямых токов через эмиттерный и коллекторный переходы. При пайке выводов транзисторов их надо плотно обжимать плоскогубцами или пинцетом выше места пайки, чтобы плоскогубцы поглощали тепло.
Если транзистор отдает допустимую для него мощность, но при этом нагревается, его корпус надо ставить на радиатор для отвода тепла. Это особенно важно для мощных выходных каскадов усилителей низкой частоты.
Не следует производить впайку транзистора в конструкцию при включенном питании. Первое включение источника питания транзисторного усилителя или приемника нужно производить через миллиамперметр. Если прибор покажет потребляемый ток в несколько раз больший, чем рекомендовано в описании или обозначено в схеме, значит в конструкции есть короткое замыкание. Устранив неисправность и включив питание, в течение двух-трех минут проверьте, не нагреваются ли транзисторы.
В связи с значительным разбросом параметров транзисторов одного и того же типа, что объясняется сложностью технологии изготовления их, во время налаживания возникает необходимость установки коллекторных токов изменением смещения на базах транзисторов. Вместо постоянного резистора в цепь базы полезно вмонтировать временно переменный резистор и им подгонять нужный ток в цепи коллектора. Но последовательно с ним необходимо включить постоянный резистор на 5—10 ком, ограничивающий ток базы. После подбора нужного тока в цепи коллектора эти резисторы заменяют постоянным резистором такого же номинала.
Параллельно батареи питания транзисторной конструкции полезно подключать электролитический конденсатор, устраняющий вредную обратную связь между каскадами через внутреннее сопротивление батареи, которое возрастает по мере ее разряда.
Монтаж транзисторной конструкции можно произвести печатным методом, используя для этого газовый фольгированный гети-накс или наклеивая на листовой гетинакс или текстолит клеем БФ-2 медную фольгу толщиной 0,1—0,3 мм. На фольге нитрокраской рисуют все необходимые соединения, а после высыхания краски панель погружают в 30-процеитиый раствор хлорного железа, который стравливает участки фольги, не защищенные краской. Далее панель промывают в проточной воде и сушат. В тех местах, где будут устанавливаться транзисторы и детали, просверливают отверстия соответствующих диаметров и аккуратно ацетоном удаляют нитрокраску.
Объяснение:
Объяснение:
1. Изотермическое расширение (на рис. 1 — процесс A→Б/A→B). В начале процесса рабочее тело имеет температуру {\displaystyle T_{H}}T_{H}, то есть температуру нагревателя. При расширении рабочего тела его температура не падает за счет передачи от нагревателя количества теплоты {\displaystyle Q_{H}}Q_{H}, то есть расширение происходит изотермически (при постоянной температуре) . При этом объём рабочего тела увеличивается, оно совершает механическую работу, а его энтропия возрастает.
2. Адиабатическое расширение (на рис. 1 — процесс Б→В/B→C). Рабочее тело отсоединяется от нагревателя и продолжает расширяться без теплообмена с окружающей средой. При этом температура тела уменьшается до температуры холодильника {\displaystyle T_{X}}T_{X}, тело совершает механическую работу, а энтропия остаётся постоянной.
3. Изотермическое сжатие (на рис. 1 — процесс В→Г/C→D). Рабочее тело, имеющее температуру {\displaystyle T_{X}}T_{X}, приводится в контакт с холодильником и начинает изотермически сжиматься под действием внешней силы, отдавая холодильнику количество теплоты {\displaystyle Q_{X}}Q_{X}. Над телом совершается работа, его энтропия уменьшается.
