1) s(полной поверхности) = s(боковой поверхности) + 2s(основания) = 12 + 72 = 84 кв.см
2)т.к. в основании прямоугольный треугольник, то его площадь расчитывается как половина произведения катетов: 2s(основания) = 2*(1/2 * 3* 4 ) = 12 квадратным сантиметрам.
3) по теореме: s(боковой поверхности) = произведению периметра основания на высоту призмы, имеем: 6роснования.
гиппотенузу основания находим по теореме пифагора, получаем 5см. тогда р основания = 5+4+3 = 12 см. а s(боковой поверхности) = 6*12 = 72 кв.см.
ответ:U = E*d
Это значит, что в данных условиях, при увеличении зазора d вдвое напряжение между пластинами также вдвое возрастет.
Можно решать по-другому.
Заряд q конденсатора емкости С связан с напряжением U между пластинами формулой:
U = q/C
Емкость плоского конденсатора
С = e*e0*S/d
При увеличении вдвое величины зазора d заряд на обкладках не изменится, а емкость вдвое уменьшится:
С1 = e*e0/(2*d) = C/2
q1 = q
Тогда напряжение после увеличения зазора d станет равным
U1 = q1/C1 = q/(C/2) = 2*q/C = 2*U
Объяснение:
я про
