М(СО₂)=0,044 кг/моль. Так как поршень тяжелый, то давление не меняется Р=const, значит процесс изобарного нагревания газа. В первом состоянии:PV₁=mRT₁/M Во втором состоянии (после нагревания): PV₂=mRT₂/M. Если из второго уравнения вычесть первое, получим : P(V₂-V₁)=mR(T₂-T₁)/M, так как работа А=РΔV, то А=mRΔT/M А=0,3 *8,31 *90/0,044 = 5099,3 Дж
Полупроводники (мы говорим о собственно полупроводниках кремний, арсенид галлия и тд без примесей), имеют во внешней электронной оболочке электроны, которые не так сильно связаны с ядром, как в изоляторах, но и не так слабо, как в металлах. Однако, при нагреве, они легко отрываются от ядер и мы получаем готовые носитель заряда. И чем больше температура, тем их больше, до определенного предела. А сопротивление кроме всего прочего зависит и от количества носителей заряда. Поэтому верен ответ В - Уменьшается из-за увеличения концентрации свободных носителей электрического заряда.
При увеличении температуры полупроводника его собственная проводимость (т. е. та, которая есть независимо от примесей) возрастает, сопротивление, соответственно, падает. Это обусловлено тем, что с ростом температуры всё больше электронов имеет достаточно энергии чтобы оторваться от атомов. При этом образуется пара из свободного электрона и "дырки" - вакантного места под электрон у атома. Атом, у которого не хватает электрона, может отобрать электрон у соседа, таким образом "дыра" переместится. В результате "дырки" ведут себя подобно свободным частицам с положительным зарядом и участвуют в проводимости наравне с электронами.
Так как поршень тяжелый, то давление не меняется Р=const, значит процесс изобарного нагревания газа.
В первом состоянии:PV₁=mRT₁/M
Во втором состоянии (после нагревания): PV₂=mRT₂/M.
Если из второго уравнения вычесть первое, получим : P(V₂-V₁)=mR(T₂-T₁)/M,
так как работа А=РΔV, то А=mRΔT/M
А=0,3 *8,31 *90/0,044 = 5099,3 Дж