Кислотные оксиды можно получить следующими 1. Окисление вещества кислородом 4P+5O2=2P2O5 2. Обжиг сульфидов 2Zns+3O2=2ZnO+2SO2 3. Взаимодействие соответствующих солей с основаниями K2Cr2O7+H2SO4=2CrO3(осадок) + K2SO4+ H2O 4. Отнятие воды от кислот H2SO4-H20=SO3
Основные оксиды:
1. Окисление металлов при нагревании в атмосфере кислорода 2Mg+O2=Mg2O 2. Разложение гидроксидов ( при высокой температуре) Cu(OH)2=CuO+H2O 3. Обжиг сульфидов ( не применим для сульфидов активных металлов) 2CuS+3O2=2CuO+2SO2 4. Разложение солей кислотосодержащих кислот( при высокой температуре) BaCo3=BaO+CO2
В природе существуют две разновидности твердых тел, различающиеся по своим свойствам: кристаллические и аморфные.
Кристаллические тела остаются твердыми, т.е. сохраняют приданную им форму до определенной температуры, при которой они переходят в жидкое состояние. При охлаждении процесс идет в обратном направлении. Переход из одного состояния в другие протекает при определенной температуре плавления.
Аморфные тела при нагреве размягчаются в большом температурном интервале, становятся вязкими, а затем переходят в жидкое состояние. При охлаждении процесс идет в обратном направлении.
Кристаллическое состояние твердого тела более стабильно, чем аморфное. В результате длительной выдержки при температуре, а в некоторых случаях при деформации, нестабильность аморфного состояния проявляется в частичной или полной кристаллизации. Пример: помутнение неорганических стекол при нагреве.
Кристаллические тела характеризуются упорядоченной структурой. В зависимости от размеров структурных составляющих и применяемых методов их выявления используют следующие понятия: тонкая структура, микро- и макроструктура.
^ Тонкая структура описывает расположение элементарных частиц в кристалле и электронов в атоме. Изучается дифракционными методами рентгенографии и электронографии. Большинство кристаллических материалов состоит из мелких кристалликов - зерен. Наблюдают такуюмикроструктуру с оптических или электронных микроскопов. Макроструктуру изучают невооруженным глазом или при небольших увеличениях, при этом выявляют раковины, поры, форму и размеры крупных кристаллов.
Закономерности расположения элементарных частиц в кристалле задаются кристаллической решеткой. Для описания элементарной ячейки кристаллической решетки используют шесть величин: три отрезка - равные расстояния до ближайших элементарных частиц по осям координат a, b, c и три угла между этими отрезками . Соотношения между этими величинами определяют форму ячейки. По форме ячеек все кристаллы подразделяются на семь систем, типы кристаллических решеток которых представлены на рис.1.
1. Окисление вещества кислородом
4P+5O2=2P2O5
2. Обжиг сульфидов
2Zns+3O2=2ZnO+2SO2
3. Взаимодействие соответствующих солей с основаниями
K2Cr2O7+H2SO4=2CrO3(осадок) + K2SO4+ H2O
4. Отнятие воды от кислот
H2SO4-H20=SO3
Основные оксиды:
1. Окисление металлов при нагревании в атмосфере кислорода
2Mg+O2=Mg2O
2. Разложение гидроксидов ( при высокой температуре)
Cu(OH)2=CuO+H2O
3. Обжиг сульфидов ( не применим для сульфидов активных металлов)
2CuS+3O2=2CuO+2SO2
4. Разложение солей кислотосодержащих кислот( при высокой температуре)
BaCo3=BaO+CO2