n = m/M, где m - масса вещества (г), M - молярная масса вещества (г/моль) ⇒ m = n * M
а) 2 моль ВаСl2
M[BaCl2] = Ar[Ba] + Ar[Cl] * 2 = 137 + 35 * 2 = 208 г/моль
n (BaCl2) = 2 моль
n (BaCl2) = 2 * 208 = 416 г.
б) 2,4 моль HNO3
M[HNO3] = Ar[H] + Ar[N] + Ar[O] * 3 = 1 + 14 + 16 * 3 = 63 г/моль
n (HNO3) = 2.4 моль
n (HNO3) = 2.4 * 63 = 151.2 г.
в) 1,5 моль Al(OH)3
M[Al(OH)3] = Ar[Al] + Ar[O] * 3 + Ar[H] * 3 = 27 + 16 * 3 + 1 * 3 = 78 г/моль
n (Al(OH)3) = 1.5 моль
n (Al(OH)3) = 1.5 * 78 = 117 г.
г) 1.8 моль H2Cr2О7
M[H2Cr2O7] = Ar[H] * 2 + Ar[Cr] * 2 + Ar[O] * 7 = 1 * 2 + 52 * 2 + 16 * 7 = 218 г/моль
n (H2Cr2О7) = 1.8 моль
n (H2Cr2О7) = 1.8 * 218 = 392.4 г.
д) 18 моль FeCl2
M[FeCl2] = Ar[Cl] * 2 + Ar[Fe] = 35 * 2 + 56 = 127 г/моль
n (FeCl2) = 18 моль
n (FeCl2) = 18 * 127 = 2286 г.
Объяснение:
Объяснение:
Упрощённая зонная структура полупроводника и диэлектрика при нулевой абсолютной температуре с изображением нескольких дополнительных зон помимо валентной зоны и зоны проводимости. Уровень Ферми на рисунке обозначен {\displaystyle E_{F}}E_F.
Диаграмма заполнения электронных уровней энергии в различных типах материалов в равновесном состоянии. На рисунке по высоте условно показана энергия, а ширина фигур — плотность состояний для данной энергии в указанном материале.
Полутона соответствует распределению Ферми — Дирака (черный — все состояния заполнены, белый — состояние пустое).
В металлах и полуметаллах уровень Ферми {\displaystyle E_{F}}E_F находится внутри, по меньшей мере, одной разрешённой зоны. В диэлектриках и полупроводниках уровень Ферми находится внутри запрещённой зоны, но в полупроводниках зоны находятся достаточно близко к уровню Ферми для заполнения их электронами или дырками в результате теплового движения частиц.
При уменьшении размеров системы (числа частиц в системе) уровень энергии низа зоны проводимости, как правило, увеличивается относительно уровня Ферми.
Аналогом энергии нижней границы зоны проводимости в молекулярных системах (кластерах) является энергия нижней свободной молекулярной орбитали