Вычислите энергию Гиббса водного тумана, если масса 4г при температуре 293 К, плотность 0,998г/см3, поверхностное натяжение воды равна 72,75*10"2, дисперстность равен 50 мкм-1 .
причиной периодичности свойств элементов является периодическое появление однотипных электронных конфигураций внешних электронных подоболочек с ростом заряда ядра атома элемента.
объяснение:
причина периодичности свойств элементов, открытая д. и. менделеевым, заключается, следовательно, в том, что по мере возрастания числа электронов, окружающих ядро, наступает такая стадия, когда заканчивается заполнение данного электронного слоя и начинается заполнение следующего. при этом элементы с одним, двумя, тремя и т. д. электронами в этом новом наружном слое воспроизводят свойства элементов, имевших также один, два три и т. д. электронов в предшествовавшем, теперь уже глубинном слое.
1. SnO2. Валентность кислорода всегда равна 2. Значит, умножаем индекс кислорода на его валентность и получаем 4 - именно соолько атомов кислорода присоединяет к себе один атом олова. ответ: (4)Sn(2)O2. 2. PCl3. Здесь делаем крест-накрест: у фосфора индекс 1, у хлора индекс 3, значит, валентность фосфора 3, а хлора - один. ответ: (3)P(1)Cl3. 3.N2O. Здесь снова определим по кислороду: у него валентность 2, значит, два атома азота присоединяют к себе один атом кислорода. ответ: (1)N2(2)O. 4. Fe2S3. Ну здесь опять-таки просто крест-накрест. ответ: (3)Fe2(2)S3. 5. Ar2O. Тут снова кислород, значит ответ: (1)Ar2(2)O.
ответ:
причиной периодичности свойств элементов является периодическое появление однотипных электронных конфигураций внешних электронных подоболочек с ростом заряда ядра атома элемента.
объяснение:
причина периодичности свойств элементов, открытая д. и. менделеевым, заключается, следовательно, в том, что по мере возрастания числа электронов, окружающих ядро, наступает такая стадия, когда заканчивается заполнение данного электронного слоя и начинается заполнение следующего. при этом элементы с одним, двумя, тремя и т. д. электронами в этом новом наружном слое воспроизводят свойства элементов, имевших также один, два три и т. д. электронов в предшествовавшем, теперь уже глубинном слое.